[發(fā)明專利]與體硅襯底絕緣的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210247449.9
• 申請(qǐng)日: 2012-07-17
• 公開（公告）號(hào): CN102891087A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 約翰·Y·陳;布恩·欽·劉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 輝達(dá)公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 徐丁峰;魏寧

1.一種用于由半導(dǎo)體襯底形成器件的方法，該方法包括：

由所述半導(dǎo)體襯底形成具有第一側(cè)壁和第二側(cè)壁并且由所述半導(dǎo)體襯底的材料構(gòu)成的結(jié)構(gòu)；

在所述結(jié)構(gòu)的所述第一側(cè)壁上形成氧化阻擋層；以及

執(zhí)行各向同性氧化工藝，以生成將所述結(jié)構(gòu)與所述半導(dǎo)體襯底的其余部分電隔離的絕緣阻擋層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第一側(cè)壁上形成所述氧化阻擋層包括：在包含所述結(jié)構(gòu)的所述半導(dǎo)體襯底上共形地沉積氧化阻擋層，并且將所述氧化阻擋層從所述半導(dǎo)體襯底的除所述結(jié)構(gòu)的表面以外的所有表面各向異性地去除。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：在執(zhí)行所述各向同性氧化工藝之前，將額外的材料從所述襯底去除，以增大所述結(jié)構(gòu)的高度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：在所述結(jié)構(gòu)的所述第二側(cè)壁上形成所述氧化阻擋層，并且其中，執(zhí)行所述各向同性氧化工藝包括由所述半導(dǎo)體襯底中與所述第二側(cè)壁相鄰的部分形成所述電絕緣阻擋層的一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體襯底的所述其余部分包括由所述半導(dǎo)體襯底所形成的相鄰的結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述結(jié)構(gòu)包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)將非平面晶體管結(jié)構(gòu)的源極區(qū)和所述非平面晶體管結(jié)構(gòu)的漏極區(qū)電耦接。

7.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：

具有第一側(cè)壁和第二側(cè)壁的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)由半導(dǎo)體襯底的材料構(gòu)成；和

絕緣阻擋層，其將所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與所述半導(dǎo)體襯底的其余部分電隔離，其中所述電絕緣阻擋層是通過(guò)各向同性氧化工藝而由所述半導(dǎo)體襯底的所述材料形成的。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括與所述電絕緣阻擋層的大致平坦的界面。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，由其形成所述絕緣阻擋層的所述半導(dǎo)體襯底的所述其余部分與所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相鄰。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)將非平面晶體管結(jié)構(gòu)的源極區(qū)和所述非平面晶體管結(jié)構(gòu)的漏極區(qū)電耦接。