[發明專利]晶圓片激光加工方法有效
| 申請號: | 201210246685.9 | 申請日: | 2012-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN103537806A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 叢曉晗;尹建剛;唐建剛;蔣曉華;曾威;李海濤;楊名宇;高云峰 | 申請(專利權)人: | 深圳市大族激光科技股份有限公司 |
| 主分類號: | B23K26/38 | 分類號: | B23K26/38;B23K26/70 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓片 激光 加工 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種晶圓片激光加工方法。
背景技術
隨著市場需求的不斷增加,LED制造業對產能、成品率和發光亮度的要求越來越高。激光加工技術已經成為LED制造業首要的工具,成為高亮度LED晶圓加工的行業標準。
激光劃片使得晶圓微裂紋以及微裂紋擴張大大減少,LED單體之間的距離大大減小,這樣不但提高產能,而且增加了生產效率。這里所說的激光劃片指的是激光切割晶圓片。
目前,晶圓片的生產工藝開始轉向在晶圓片的背面鍍上一層金屬反射層,可大大增強LED單體的發光效率和發光強度。但隨之而來的是對LED單片現用的激光隱形切割工藝提出了新的問題。所謂隱形切割是使激光穿過表面而于晶圓片的某一深度處形成劃痕(也可叫炸點層)。而現有的激光隱形切割工藝中是在背鍍金屬之后再進行劃片工藝,就無法在晶圓片上形成劃痕,所以目前的生產工藝改為背鍍金屬之前進行劃片,然而,在劃片時,激光由所述晶圓片的邊緣沿切割道切割所述晶圓片。在后續去除所述晶圓片背面的貼膜的工序中,所述晶圓片邊緣極易因撕膜力的作用而破裂,影響后續加工,無法滿足生產的要求。
發明內容
本發明實施例的目的在于提供一種晶圓片激光加工方法,旨在解決傳統的晶圓片加工工藝中劃片后晶圓片邊緣因撕膜力作用而破裂的問題。
本發明實施例是這樣實現的,一種晶圓片激光加工方法,其包括如下步驟:
提供一晶圓片,所述晶圓片具有正面及帶有電極的背面,所述晶圓片的背面設置有切割道;
將所述晶圓片置于一貼膜機上進行晶圓片背面貼膜,所述貼膜機提供的白膜貼于所述晶圓片的背面;
將一第一環狀元件貼于所述白膜上,且所述晶圓片位于所述第一環狀元件的中部;
將所述晶圓片、第一環狀元件及白膜倒置;
將一第二環狀元件貼于所述白膜上,所述第二環狀元件的內緣覆蓋所述晶圓片的正面外緣,所述第二環狀元件位于所述第一環狀元件的中部;
將貼膜的晶圓片、第一環狀元件及第二環狀元件定位于一激光切割設備中,所述激光切割設備發出的激光沿所述晶圓片的外露于所述第二環狀元件外的切割道進行激光隱形切割;
拆卸所述第一環狀元件、所述第二環狀元件及白膜;
在所述晶圓片的正面鍍金屬。
本發明的晶圓片激光加工方法中,通過所述第二環狀元件將所述晶圓片的外緣覆蓋住而不被切割,使得切割后的晶圓片在后續加工中保證了邊緣的強度,整體上保證了所述晶圓片的完整性、可操作強度,也不易破裂,大大地增加了加工的良率,降低破片率。
附圖說明
圖1是本發明實施例提供的晶圓片激光加工方法的貼有白膜的第一環狀元件、第二環狀元件、晶圓片的示意圖。
圖2是圖1沿線I-I的剖面示意圖。
圖3是圖2的局部放大圖。
圖4是本發明實施例提供的晶圓片激光加工方法的步驟圖。
具體實施方式
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本發明進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,并不用于限定本發明。
請參閱圖1至圖4,本發明實施例提供的晶圓片激光加工方法包括如下步驟:
提供一晶圓片10,所述晶圓片10具有正面11及帶有電極(圖未示)的背面12,所述晶圓片10的正面11設置有切割道(圖未示);
將所述晶圓片10置于一貼膜機(圖未示)上進行晶圓片背面貼膜,所述貼膜機提供的白膜20貼于所述晶圓片10的背面12;
將一第一環狀元件30貼于所述白膜20上,且所述晶圓片10位于所述第一環狀元件30的中部;
將所述晶圓片10、第一環狀元件30及白膜20倒置;
將一第二環狀元件40貼于所述白膜20上,所述第二環狀元件40的內緣覆蓋所述晶圓片10的正面11外緣,所述第二環狀元件40位于所述第一環狀元件30的中部;
將貼膜的晶圓片10、第一環狀元件30及第二環狀元件40定位于一激光切割設備(圖未示)中,所述激光切割設備發出的激光沿所述晶圓片10的外露于所述第二環狀元件40外的切割道進行激光隱形切割;
拆卸所述第一環狀元件30、第二環狀元件40及白膜20;
在所述晶圓片10的正面11鍍金屬。
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