[發(fā)明專利]晶圓片激光加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210246685.9
• 申請日: 2012-07-17
• 公開（公告）號: CN103537806A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 叢曉晗;尹建剛;唐建剛;蔣曉華;曾威;李海濤;楊名宇;高云峰
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市大族激光科技股份有限公司
• 主分類號: B23K26/38
• 分類號: B23K26/38;B23K26/70
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種晶圓片激光加工方法，其包括如下步驟：

提供一晶圓片，所述晶圓片具有正面及帶有電極的背面，所述晶圓片的背面設(shè)置有切割道；

將所述晶圓片置于一貼膜機上進行晶圓片背面貼膜，所述貼膜機提供的白膜貼于所述晶圓片的背面；

將一第一環(huán)狀元件貼于所述白膜上，且所述晶圓片位于所述第一環(huán)狀元件的中部；

將所述晶圓片、第一環(huán)狀元件及白膜倒置；

將一第二環(huán)狀元件貼于所述白膜上，所述第二環(huán)狀元件的內(nèi)緣覆蓋所述晶圓片的正面外緣，所述第二環(huán)狀元件位于所述第一環(huán)狀元件的中部；

將貼膜的晶圓片、第一環(huán)狀元件及第二環(huán)狀元件定位于一激光切割設(shè)備中，所述激光切割設(shè)備發(fā)出的激光沿所述晶圓片的外露于所述第二環(huán)狀元件外的切割道進行激光隱形切割；

拆卸所述第一環(huán)狀元件、第二環(huán)狀元件及白膜；

在所述晶圓片的正面鍍金屬。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于：在晶圓片的正面鍍金屬之后還包括將所述晶圓片置于所述貼膜機上進行晶圓片背面貼膜的步驟A，所述貼膜機提供的白膜貼于所述晶圓片的背面。

3.如權(quán)利要求2所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于：在步驟A之后還包括將所述第一環(huán)狀元件貼于所述白膜上的步驟B，所述晶圓片位于所述第一環(huán)狀元件的中部。

4.如權(quán)利要求3所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于：在步驟B之后還包括將所述晶圓片、第一環(huán)狀元件及白膜倒置的步驟C。

5.如權(quán)利要求4所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于：在步驟C之后還包括將所述第二環(huán)狀元件貼于所述白膜上的步驟D，所述第二環(huán)狀元件的內(nèi)緣覆蓋所述晶圓片的正面外緣，所述第二環(huán)狀元件位于所述第一環(huán)狀元件的中部。

6.如權(quán)利要求5所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于：在步驟D之后還包括將貼膜的晶圓片、第一環(huán)狀元件及第二環(huán)狀元件定位于所述激光切割設(shè)備中并使所述激光切割設(shè)備發(fā)出的激光沿所述晶圓片的外露于所述第二環(huán)狀元件外的切割道進行激光表面切割的步驟E。

7.如權(quán)利要求6所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于：在步驟E之后還包括拆卸所述第一環(huán)狀元件及第二環(huán)狀元件、裂片、倒膜及擴膜的步驟。

8.如權(quán)利要求1-7任一項所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于：所述第二環(huán)狀元件的內(nèi)緣底面開設(shè)有容置所述晶圓片的外緣的臺階形凹槽。

9.如權(quán)利要求1-7任一項所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于：所述第二環(huán)狀元件的外緣底面開設(shè)有方便與所述白膜分開的凹槽，所述第二環(huán)狀元件的底面中部開設(shè)有環(huán)槽，以減少所述白膜與所述第二環(huán)狀元件間的接觸面積。

10.如權(quán)利要求1-7任一項所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于：所述第二環(huán)狀元件的內(nèi)緣所覆蓋的晶圓片的外緣寬度范圍為0.2mm~1.5mm。