[發明專利]正型光致抗蝕劑剝離劑組合物

無效

• 申請號: 201210246206.3
• 申請日: 2012-07-17
• 公開（公告）號: CN102998915A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 張峰
• 申請（專利權）人: 張峰
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;C07D295/185;C07D211/16
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種在光刻膠的剝離中不腐蝕基板、且能有效地除去光致抗蝕劑膜，特別是剝離性能優異的正型光致抗蝕劑剝離劑組合物。

背景技術

常規半導體元件或液晶面板元件的制造步驟：首先在硅片等基板上形成蒸鍍得到的導電性金屬膜等絕緣膜。然后，在上述膜上均一地涂布光致抗蝕劑，選擇性地對其進行曝光、顯影，形成圖案。接下來，將該圖案作為掩模選擇性地蝕刻上述導電性金屬膜或絕緣膜，隨后，用剝離液除去不要的光致抗蝕劑層。目前，從安全性、剝離性觀點考慮使用各種有機類剝離液除去上述殘留的光致抗蝕劑層。

而蝕刻工藝，根據其蝕刻條件在抗蝕劑表面引發復雜的化學反應，并在這種化學反應下形成表面層變質的抗蝕劑。即，變質的抗蝕劑引發用于干式蝕刻的等離子氣體與基板及感光液之間的反應而生成副產品。一般情況下，如果不能穩定地去除變質的高分子物質，那么在蝕刻的圖案上或在圖案和圖案之間就會產生抗蝕劑的殘渣。這種殘渣會成為在后續的成膜、照相平版印刷、蝕刻等工藝中出現斷線及短路現象的主要原因，而上述問題會導致產品的可靠性、生產效率及性能降低。

現有的剝離劑對鋁和銅等具有腐蝕作用。且不能滿足加工圖案趨于微細化的要求。基于上述各種理由，需要一種即使采用上述的有機溶劑進行處理，在對鋁和銅等腐蝕小的同時，也能完全去除抗蝕劑基板上的殘留物，具有強剝離能力的組合物。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是在于需要提供一種在光刻膠的剝離中不腐蝕基板、且能有效地除去光致抗蝕劑膜的正型光致抗蝕劑剝離劑組合物，從而彌補現有技術上的不足。

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種正型光致抗蝕劑剝離劑組合物，其特征在于包括：a)1-20重量份的N，N-二乙基羥胺；b)1-70重量份的二甘醇單烷基醚；c)1-5重量份的[式1]所示的化合物；d)1-5重量份的[式2]所示的化合物；

[式1]，其中R’為氫，或具有1至4個碳原子的烷基，

[式2]。

其中，優選的含有e)0.01-10重量份的非離子表面活性劑。

其中，優選的含有f)20-90重量份的非質子極性溶劑。

其中，所述的二甘醇單烷基醚是選自丁基乙二醇、丁基二乙二醇、丁基三甘醇、甲基乙二醇、甲基二乙二醇、甲基三乙二醇、及甲基丙二醇中的至少一種化合物。

其中，所述的非質子極性溶劑是選自二甲基亞砜、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基咪唑啉酮、及γ-丁內酯中的至少一種化合物。

其中，所述的非離子表面活性劑，是選自聚氧丙烯乙二醇醚、聚氧丙烯乙基醚、聚氧丙烯甲基醚、聚氧丙稀丁基醚、聚氧乙烯聚丙二醇醚、聚氧乙烯聚丙乙基醚、聚氧乙烯聚丙甲基醚、聚氧乙烯聚丙丁基醚中的至少一種化合物。

本發明還提供了一種所述的正型光致抗蝕劑剝離劑組合物在光刻膠剝離中的應用。

本發明還提供了一種如[式1]所示的化合物：

[式1]，其中R’為氫，或具有1至4個碳原子的烷基。

具體實施方式

以下將結合實施例來詳細說明本發明的實施方式，借此對本發明如何應用技術手段來解決技術問題，并達成技術效果的實現過程能充分理解并據以實施。

本發明的剝離液含有N，N-二乙基羥胺(以下也稱為“成分(A)”)。N，N-二乙基羥胺顯示還原性，可以抑制形成在基板上的含有的金屬層被腐蝕。成分(A)的配合量為剝離液的1-20重量份。并且，優選1-10重量份。

所述二甘醇單烷基醚，優選使用丁基乙二醇、丁基二乙二醇、丁基三甘醇、甲基乙二醇、甲基二乙二醇、甲基三乙二醇、及甲基丙二醇等，尤其是表面張力低、燃點高的丁基二乙二醇更為有效。

式1化合物的含量優選2-3重量份，R’優選氫、甲基。

式2化合物的含量優選2-4重量份。

所述非質子極性溶劑有二甲基亞砜、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基咪唑、及γ-丁內酯等，這些溶劑可以單獨使用，也可以組合使用。

組合使用a)、b)、c)、d)形成的組合物，可以發揮很好的協同作用，機理不明確，不但對基板的腐蝕性小并且可以明顯改善剝離性。

[剝離性實驗]