[發明專利]光刻對焦參數測試方法及系統

有效

• 申請號: 201210245746.X
• 申請日: 2012-07-16
• 公開（公告）號: CN103545174A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 李健
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/66;G03F7/20
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

技術領域

本發明涉及半導體光刻工藝，特別是涉及一種光刻對焦參數測試方法。

背景技術

在半導體工藝中，光刻是較為常見和關鍵的步驟。光刻是一種利用光學-化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。

要把圖案準確地投射到光刻膠上，光刻中的對焦參數（focus）非常重要，準確的對焦參數能夠使形成的圖像清晰。

傳統的獲取對焦參數的方法是通過分片實驗找出最佳對焦參數。具體地，是在測試晶圓上劃分若干測試區域，對不同測試區域使用逐級梯度變化的對焦參數進行光刻成像，對應成像最清晰的測試區域的對焦參數即為最佳對焦參數。

然而上述方法忽略了晶圓內本身存在的高低起伏對對焦參數的影響，因而傳統的分片實驗所獲得的對焦參數有時并不準確。

發明內容

基于此，有必要提供一種能夠獲得準確的對焦參數的光刻對焦參數測試方法。

一種光刻對焦參數測試方法，包括：將測試晶圓表面劃分為多個測試區域；為每個測試區域i分配預測試的對焦參數F_pi；根據所述測試區域i的高度H_i將所述預測試的對焦參數F_pi進行修正得到實際用于測試的對焦參數F_i；根據所述實際用于測試的對焦參數F_i對每個測試區域i進行光刻成像。

在其中一個實施例中，所述根據測試區域i的高度將所述預測試的對焦參數F_pi進行修正得到實際用于測試的對焦參數F_i的步驟具體為：獲取所有測試區域的高度值H₁~H_n，并根據所有測試區域的高度值計算平均高度H_avg；按照下述公式計算每一個測試區域i的實際用于測試的對焦參數F_i：F_i=F_pi-（H_i-H_avg）。

在其中一個實施例中，所述測試區域為晶圓上的街區。

在其中一個實施例中，所述預測試的對焦參數自晶圓的中心向兩側分別均勻遞增和遞減。

在其中一個實施例中，所述預測試的對焦參數自晶圓的中心向兩側分別均勻遞增和遞減的幅度為0.1微米。

一種光刻對焦參數測試系統，包括：測試裝置，用于對表面劃分為多個測試區域的晶圓上的每個測試區域i，采用對應的對焦參數進行光刻成像；校正裝置，根據所述測試區域i的高度H_i將所述預測試的對焦參數F_pi進行修正得到實際用于測試的對焦參數F_i；在測試時，所述測試裝置采用的對焦參數為所述實際用于測試的對焦參數F_i。

在其中一個實施例中，所述校正裝置具體用于：獲取所有測試區域的高度值H₁~H_n，并根據所有測試區域的高度值計算平均高度H_avg；按照下述公式計算每一個測試區域i的實際用于測試的對焦參數F_i：F_i=F_pi-（H_i-H_avg）。

在其中一個實施例中，所述測試裝置為步進掃描式，掃描方式為逐街區掃描。

在其中一個實施例中，所述校正裝置以一個標準的中間值為基礎按照均勻遞增和遞減的方式自動生成多個預測試的對焦參數。

在其中一個實施例中，所述均勻遞增和遞減的幅度為0.1微米。

上述測試方法和測試系統，在測試光刻對焦參數時，考慮了晶圓表面高低起伏因素的影響，并根據各個測試區域起伏情況對預測試的對焦參數進行修正，使得測試結果更為準確。

附圖說明

圖1為一實施例的光刻對焦參數測試方法流程圖；

圖2為晶圓表面測試區域的劃分情況示意圖；

圖3為一實施例的光刻對焦參數測試系統。

具體實施方式

以下結合具體實施例和附圖，對光刻對焦參數測試方法和光刻對焦參數測試系統進行進一步說明。

如圖1所示，為一實施例的光刻對焦參數測試方法流程圖。該方法包括以下步驟。