[發明專利]光刻對焦參數測試方法及系統

有效

• 申請號: 201210245746.X
• 申請日: 2012-07-16
• 公開（公告）號: CN103545174A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 李健
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/66;G03F7/20
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種光刻對焦參數測試方法，其特征在于，包括：

將測試晶圓表面劃分為多個測試區域；

為每個測試區域i分配預測試的對焦參數F_pi；

根據所述測試區域i的高度H_i將所述預測試的對焦參數F_pi進行修正得到實際用于測試的對焦參數F_i；

根據所述實際用于測試的對焦參數F_i對每個測試區域i進行光刻成像。

2.根據權利要求1所述的光刻對焦參數測試方法，其特征在于，所述根據測試區域i的高度將所述預測試的對焦參數F_pi進行修正得到實際用于測試的對焦參數F_i的步驟具體為：

獲取所有測試區域的高度值H₁~H_n，并根據所有測試區域的高度值計算平均高度H_avg；

按照下述公式計算每一個測試區域i的實際用于測試的對焦參數F_i：

F_i=F_pi-（H_i-H_avg）。

3.根據權利要求1所述的光刻對焦參數測試方法，其特征在于，所述測試區域為晶圓上的街區。

4.根據權利要求1所述的光刻對焦參數測試方法，其特征在于，所述預測試的對焦參數自晶圓的中心向兩側分別均勻遞增和遞減。

5.根據權利要求4所述的光刻對焦參數測試方法，其特征在于，所述預測試的對焦參數自晶圓的中心向兩側分別均勻遞增和遞減的幅度為0.1微米。

6.一種光刻對焦參數測試系統，其特征在于，包括：

測試裝置，用于對表面劃分為多個測試區域的晶圓上的每個測試區域i，采用對應的對焦參數進行光刻成像；

校正裝置，根據所述測試區域i的高度H_i將所述預測試的對焦參數F_pi進行修正得到實際用于測試的對焦參數F_i；

在測試時，所述測試裝置采用的對焦參數為所述實際用于測試的對焦參數F_i。

7.根據權利要求6所述的光刻對焦參數測試系統，其特征在于，所述校正裝置具體用于：

獲取所有測試區域的高度值H₁~H_n，并根據所有測試區域的高度值計算平均高度H_avg；

按照下述公式計算每一個測試區域i的實際用于測試的對焦參數F_i：

F_i=F_pi-（H_i-H_avg）。

8.根據權利要求6所述的光刻對焦參數測試系統，其特征在于，所述測試裝置為步進掃描式，掃描方式為逐街區掃描。

9.根據權利要求6所述的光刻對焦參數測試系統，其特征在于，所述校正裝置以一個標準的中間值為基礎按照均勻遞增和遞減的方式自動生成多個預測試的對焦參數。

10.根據權利要求9所述的光刻對焦參數測試系統，其特征在于，所述均勻遞增和遞減的幅度為0.1微米。