[發明專利]一種水溶液中大批量制備Ag納米線的方法無效
| 申請號: | 201210245338.4 | 申請日: | 2012-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN102744421A | 公開(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發明(設計)人: | 胡勇;楊文龍 | 申請(專利權)人: | 浙江師范大學 |
| 主分類號: | B22F9/30 | 分類號: | B22F9/30 |
| 代理公司: | 金華科源專利事務所有限公司 33103 | 代理人: | 胡杰平 |
| 地址: | 321004 浙江省金華市婺城*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 水溶液 大批量 制備 ag 納米 方法 | ||
技術領域
本發明屬于銀納米線材料及其制備技術領域,特別是一種水溶液中大批量制備Ag納米線的方法。
背景技術
銀(Ag)納米線作為一種重要的納米半導體材料,具有良好的導電性和導熱性,Ag納米線在光學偏振器,光子晶體,催化劑,生物醫學和化學傳感器等方面有廣泛的應用,吸引了各國科學家的普遍關注,在美國的《材料化學》雜志(2007年,19卷1755頁)有過報道。目前,已有文獻報道制備Ag納米線的方法有:以多孔氧化鋁薄膜,碳納米管和嵌段共聚物等硬模板法,但此方法制備的Ag納米線直徑和尺寸大小在很大程度上取決于模板的質量,制作方法較為繁瑣復雜。目前,制備Ag納米線比較普遍的方法是Y.N.Xia.等提出的多元醇法,在美國的《納米快報》雜志(2002年,2卷165頁)和德國的《先進材料》雜志(2002年,14卷833頁)有過報道,專利201010281639.3、201110416160.0、201110311631.1等也公開了Ag納米線的合成方法,它們大多采用多元醇作為溶劑和還原劑,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)為誘導劑制備銀納米線,此外,專利200810019828.6和201010559335.9利用微波加熱回流的方法制備Ag納米線,這些方法大都需要在140~200°C的冷凝回流裝置及惰性氣體的環境中進行,同時此方法還存在產量低、制作成本相對較高,工藝復雜等缺點。而采用水作為溶劑制備Ag納米線的方法卻鮮有報道,在德國的《歐洲化學》雜志(2005年,11卷160頁),和美國的《納米快報》雜志(2003年,3卷5頁)以及《美國化學會志》雜志(2005年,127卷2822頁)有過報道,但這些方法制備的Ag納米線均勻性不好、產量低、雜質較多。
發明內容
本發明的目的是針對現有的制備Ag納米線的方法所存在的生產成本高、工藝復雜、不易控制、均勻性不好、產量低、雜質較多的不足之處,提供一種具有生產成本低、工藝簡單、易控制、均勻性好、產量大、雜質少的水溶液中大批量制備Ag納米線的方法。
本發明是通過如下技術方案實現的:一種水溶液中大批量制備Ag納米線的方法,采用去離子水作溶劑,采用過渡金屬的無機鹽硝酸銀(AgNO3)為反應前驅物,加入表面活性劑聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和過量的無機鹽氯化鈉(NaCl),通過沉淀法反應即得到白色的氯化銀(AgCl)溶膠,采用水做溶劑,添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP),以氯化銀(AgCl)溶膠為反應前驅體,采用水熱法控制反應獲得Ag納米線。
在所述的一種水溶液中大批量制備Ag納米線的方法中,制備Ag納米線的方法包括以下步驟:
⑴AgCl溶膠前驅體的制備
取原料硝酸銀(AgNO3)和去離子水,配成以AgNO3摩爾濃度為0.01~0.03M,取一定量的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶于其中,得到無色透明溶液A,將溶液A放入容器中并在室溫下進行磁力攪拌;取氯化鈉(NaCl)和水,配成以NaCl摩爾濃度為0.06~0.20M的溶液B,將溶液B逐滴加入溶液A中,經反應,溶液逐漸變渾,待溶液B滴加結束,繼續攪拌15~20分鐘,溶液變為乳白色,所得的乳白色溶膠即為AgCl溶膠前驅體;
⑵將AgCl溶膠前驅體放入反應釜中,經160~180°C,6~10個小時后,取上層黃色懸浮液,再經離心洗滌、烘干,即得到Ag納米線。
采用本發明制備的Ag納米線,其直徑范圍在40~50nm,其長度最高可達50μm,本發明制備的銀納米線具有產品成本低、易控制、均勻性高、產量大、重復性好以及適合大規模生產等優點。
附圖說明
圖1是荷蘭飛利浦公司PW3040/60型X-射線衍射儀所測的實施例1中制備的Ag納米線的X-射線衍射圖。其中:橫坐標X是衍射角度(2θ),縱坐標Y是相對衍射強度。
圖2是日本日立公司S-4800型場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)觀測實施例1中制備的大批量Ag納米線形貌圖。產品是Ag納米線。
圖3是日本日立公司S-4800型場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)觀測實施例1中制備的Ag納米線形貌放大圖。產品是Ag納米線。
圖4是JEM-2100F透射電子顯微鏡(TEM)觀測到的實施例1中制備的Ag納米線形貌像;插圖是JEM-2100F高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)觀測到Ag納米線所對應的晶格條紋像。產品是Ag納米線。
圖5是日本日立公司S-4800型場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)觀測實施例2中制備的Ag納米線形貌圖。產品是Ag納米線。
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