[發明專利]半導體器件制造方法

有效

• 申請號: 201210245140.6
• 申請日: 2012-07-13
• 公開（公告）號: CN103545188A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 尹海洲;張珂珂
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體器件制造方法，包括：

在襯底上形成接觸犧牲圖形，覆蓋源區與漏區并且暴露柵極區域；

在襯底上形成層間介質層，覆蓋接觸犧牲圖形并且暴露柵極區域；

在暴露的柵極區域中形成柵極堆疊結構；

去除接觸犧牲圖形，留下了源漏接觸溝槽；

在源漏接觸溝槽中形成源漏接觸。

2.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，襯底中還包括淺溝槽隔離，接觸犧牲圖形暴露了部分淺溝槽隔離。

3.如權利要求2的半導體器件制造方法，其中，層間介質層覆蓋了部分淺溝槽隔離。

4.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，形成接觸犧牲圖形之后、形成層間介質層之前，還包括在接觸犧牲圖形側面上形成源漏接觸側墻。

5.如權利要求4的半導體器件制造方法，其中，源漏接觸側墻為氮化硅、氮氧化硅。

6.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，形成接觸犧牲圖形之后，還包括在襯底中形成輕摻雜的源漏延伸區和暈狀源漏摻雜區。

7.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，形成柵極堆疊結構包括在暴露的柵極區域中沉積高k材料的柵極絕緣層、金屬氮化物的功函數調節層以及金屬的電阻調節層。

8.如權利要求7的半導體器件制造方法，其中，形成柵極堆疊結構之后還包括平坦化電阻調節層、功函數調節層、層間介質層直至暴露接觸犧牲圖形。

9.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，形成源漏接觸的步驟進一步包括：

在源漏接觸溝槽中暴露的襯底中形成源漏重摻雜區；

在源漏重摻雜區中形成金屬硅化物；

在源漏接觸溝槽中金屬硅化物上依次沉積襯墊層和填充層；

平坦化填充層和襯墊層直至暴露柵極堆疊結構。

10.如權利要求9的半導體器件制造方法，其中，平坦化填充層和襯墊層之后，進一步包括：沉積第二層間介質層；刻蝕第二層間介質層形成源漏接觸孔，在源漏接觸孔中填充形成第二源漏接觸；沉積第三層間介質層；刻蝕第三層間介質層形成互連孔，在互連孔中填充形成互連線。

11.如權利要求9的半導體器件制造方法，其中，形成金屬硅化物的步驟進一步包括：在源漏接觸溝槽中沉積金屬層，退火使得金屬層與襯底中硅反應形成金屬硅化物，剝除未反應的金屬層。

12.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，接觸犧牲圖形為多晶硅、非晶硅、非晶碳及其組合。

13.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，接觸犧牲圖形與襯底之間還包括墊氧化層。