[發明專利]半導體裝置用粘接膜及切割帶一體型半導體背面用膜

有效

• 申請號: 201210245045.6
• 申請日: 2012-07-13
• 公開（公告）號: CN102876245A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 志賀豪士;高本尚英;淺井文輝
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/00
• 分類號: C09J7/00;C09J7/02;C09J163/00;C09J11/06;H01L21/683;H01L23/29
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術領域

本發明涉及半導體裝置用粘接膜、倒裝芯片型半導體背面用膜和切割帶一體型半導體背面用膜。倒裝芯片型半導體背面用膜用于半導體芯片等半導體元件背面的保護、和強度提高等。

背景技術

近年來，尋求更進一步的半導體裝置及其封裝的薄型化、小型化。因此，作為半導體裝置及其封裝，廣泛利用半導體芯片等半導體元件通過倒裝芯片焊接法(flip?chip?bonding)在基板上安裝的（倒裝芯片連接的）倒裝芯片型半導體裝置。該倒裝芯片連接是以半導體芯片的電路面與基板的電極形成面相對的形式固定的。在這種半導體裝置等中，半導體芯片的背面有時用保護膜保護，防止半導體芯片的損傷等。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008-166451號公報

專利文獻2：日本特開2008-006386號公報

專利文獻3：日本特開2007-261035號公報

專利文獻4：日本特開2007-250970號公報

專利文獻5：日本特開2007-158026號公報

專利文獻6：日本特開2004-221169號公報

專利文獻7：日本特開2004-214288號公報

專利文獻8：日本特開2004-142430號公報

專利文獻9：日本特開2004-072108號公報

專利文獻10：日本特開2004-063551號公報

發明內容

發明要解決的問題

然而，為了用上述保護膜保護半導體芯片的背面，對于在切割工序中獲得的半導體芯片，需要追加在其背面貼附保護膜的新的工序。結果，工序數增加，制造成本等增加。另外，由于近年來的薄型化，在半導體芯片的拾取工序中，有時在半導體芯片上產生損傷。因此，在拾取工序之前，為了增加半導體晶片或半導體芯片的機械強度，要求將它們補強。另外，對于上述保護膜之類的在半導體芯片上貼附使用的膜而言，有時在長期保存后使用。而且，要求即使在這種長期保存之后也具有與制造時同樣的物性（例如拉伸儲能模量、粘接力）。即，例如長期保存后粘接力降低時，不能在半導體晶片上貼附，長期保存后，拉伸儲能模量增高時，在粘接膜上發生破裂或缺口，不能適宜地使用。

本發明是鑒于上述問題而做出的，其目的在于，提供即使在長期保存后也能具有與制造時同樣物性的半導體裝置用粘接膜、倒裝芯片型半導體背面用膜以及切割帶一體型半導體背面用膜。

用于解決問題的方案

本申請發明人等為了解決上述現有問題而進行了研究，結果發現，將在25℃的條件下保存4周之后的半導體裝置用粘接膜的反應放熱量設定在相對于保存前的反應放熱量的一定范圍內，由此，即使在長期保存之后，也能具有與制造時同樣的物性，從而完成了本發明。

即，本發明的半導體裝置用粘接膜的特征在于，其含有熱固化性樹脂，對于所述半導體裝置用粘接膜的用差示掃描量熱儀測定的反應放熱峰溫度±80℃溫度范圍內的反應放熱量而言，在25℃的條件下保存4周之后的反應放熱量相對于保存前的反應放熱量為0.8~1倍的范圍。

根據上述構成，在25℃的條件下保存4周之后的半導體裝置用粘接膜的反應放熱量相對于保存前的反應放熱量為0.8~1倍的范圍內，即使在保存4周之后也可抑制固化反應的進行。因此，可以防止固化反應進行所伴有的膜的固化、粘接性的降低，即使在長期保存之后，也能具有與保存前（剛制造之后）同樣的物性。結果，能夠適宜地用于半導體裝置的制造。

在上述構成中，相對于樹脂成分的總量，優選以0.008~0.25重量%的比率含有熱固化促進催化劑。熱固化促進催化劑的上述比率為0.008重量%以上時，可以適宜地使熱固化性樹脂熱固化。另外，熱固化促進催化劑的上述比率為0.25重量%以下的比率時，可抑制長期保存時的固化反應的進行。

在上述構成中，優選的是，上述熱固化性樹脂為環氧樹脂，且上述熱固化促進催化劑為咪唑系熱固化促進催化劑。咪唑系固化促進催化劑通常在環氧樹脂中實際上沒有溶解性。因此，對于熱固化性樹脂為環氧樹脂的粘接膜而言，使用咪唑系固化促進催化劑時，可進一步抑制保存時的固化的進行。