[發明專利]半導體裝置用粘接膜及切割帶一體型半導體背面用膜有效
| 申請號： | 201210245045.6 | 申請日： | 2012-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN102876245A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發明（設計）人： | 志賀豪士;高本尚英;淺井文輝 | 申請（專利權）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | C09J7/00 | 分類號： | C09J7/00;C09J7/02;C09J163/00;C09J11/06;H01L21/683;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 用粘接膜 切割 體型 背面 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置用粘接膜，其特征在于，其含有熱固化性樹脂，對于所述半導體裝置用粘接膜的用差示掃描量熱儀測定的反應放熱峰溫度±80℃溫度范圍內的反應放熱量而言，在25℃的條件下保存4周之后的反應放熱量相對于保存前的反應放熱量為0.8~1倍的范圍。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置用粘接膜，其特征在于，其相對于樹脂成分的總量以0.008~0.25重量%的比率含有熱固化促進催化劑。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置用粘接膜，其特征在于，所述熱固化性樹脂為環氧樹脂，且所述熱固化促進催化劑為咪唑系熱固化促進催化劑。
4.根據權利要求2所述的半導體裝置用粘接膜，其特征在于，所述熱固化促進催化劑為磷-硼系固化促進催化劑。
5.根據權利要求1~4的任一項所述的半導體裝置用粘接膜，其特征在于，所述半導體裝置用粘接膜是倒裝芯片型半導體背面用膜，其用于形成于被倒裝芯片連接到被粘物上的半導體元件背面上。
6.一種切割帶一體型半導體背面用膜，其特征在于，其是權利要求5所述的倒裝芯片型半導體背面用膜層疊在切割帶上的切割帶一體型半導體背面用膜，
所述切割帶是在基材上層疊有粘合劑層的結構，
所述倒裝芯片型半導體背面用膜層疊在所述切割帶的粘合劑層上。
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