[發明專利]電子元件封裝結構及其封裝方法有效
| 申請號: | 201210244658.8 | 申請日: | 2012-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN103545225A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 曾子章;江書圣;陳宗源;程石良 | 申請(專利權)人: | 欣興電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/58 | 分類號: | H01L21/58;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子元件 封裝 結構 及其 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種元件封裝結構及其制作方法,且特別是涉及一種電子元件封裝結構及其制作方法。?
背景技術
近年來,隨著電子技術的日新月異,高科技電子產業的相繼問世,使得更人性化、功能更佳的電子產品不斷地推陳出新。在這些電子產品內通常會配置用來安裝電子元件于其上的線路板。隨著電子產品持續朝向輕、薄、短、小的趨勢設計,線路板的厚度朝向薄型化發展。?
然而,在現有技術中,制造者會先分別制作電子元件及用以承載電子元件的線路板。之后,在將電子元件封裝在線路板上,以形成電子元件封裝結構。此作法不但費工費時,且電子元件封裝結構的整體厚度不易降低。承上述,如何開發出一種可制作出薄型化的電子元件封裝結構的方法,實為研發者所欲達成的目標之一。?
發明內容
本發明的目的在于提供一種電子元件封裝方法,其可制作出整體厚度小的電子元件封裝結構。?
本發明另一目的在于提供一種電子元件封裝結構,其整體厚度小。?
為達上述目的,本發明的一實施例提出一種電子元件封裝方法,其包括下列步驟:提供線路基板,線路基板包括基底以及配置于基底上的第一導電圖案,將電子元件配置于線路基板上,其中電子元件具有至少一電極,形成介電層于線路基板上,以覆蓋電子元件、電極以及第一導電圖案,其中第一導電圖案在介電層上形成第一凹陷圖案。圖案化介電層,以形成延伸至第一導電圖案的貫孔以及連通貫孔且暴露出電極的第二凹陷圖案。填入導電材料于貫孔以及第二凹陷圖案中,以在貫孔中形成導電通孔且在第二凹陷圖案中?形成第二導電圖案,并移除基底。將第一防焊層及第二防焊層分別形成于第一導電圖案以及第二導電圖案上,其中第一防焊層暴露出部分的第一導電圖案,且第二防焊層暴露出部分的第二導電圖案。?
本發明的一實施例提出一種電子元件封裝結構,其包括介電層、電子元件、第一導電圖案、第二導電圖案、導電通孔、第一防焊層以及第二防焊層。介電層具有第一表面、相對于第一表面的第二表面、配置于第一表面上且凹陷于第一表面的第一凹陷圖案、配置于第二表面上且凹陷于第二表面的至少一第二凹陷圖案以及由第一凹陷圖案延伸至第二凹陷圖案的至少一貫孔。電子元件埋在介電層中并具有至少一電極,電極暴露于第二凹陷圖案。第一導電圖案填入第一凹陷圖案,第二導電圖案填入第二凹陷圖案而與電子元件的電極連接,且導電通孔填入貫孔而連接第一導電圖案以及第二導電圖案。第一防焊層配置于介電層的第一表面以及第一導電圖案上,并暴露出部分的第一導電圖案。第二防焊層配置于介電層的第二表面以及第二導電圖案上,并暴露出部分的第二導電圖案。?
基于上述,在本發明中,可將電子元件埋入介電層中,以大幅縮減電子元件封裝結構的整體厚度。此外,通過在介電層的凹陷圖案中填入導電材料以形成導電圖案也可使電子元件封裝結構的整體厚度更進一步地降低。?
為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合所附附圖作詳細說明如下。?
附圖說明
圖1A至圖1K為本發明一實施例的電子元件封裝方法的剖面示意圖;?
圖2A及圖2B為本發明另一實施例的提供線路基板的方法示意圖。?
主要元件符號說明?
100:??電子元件封裝結構?
110:??線路基板?
112:??基底?
112a:?基材?
112b:?阻障層?
114:??第一導電圖案?
116:?第一導電層?
118:?電鍍籽晶層?
120:?電子元件?
122:?電極?
130:?介電層?
130a:第一表面?
130b:第二表面?
132:?第一凹陷圖案?
134:?貫孔?
136:?第二凹陷圖案?
136a:第一凹陷?
136b:第二凹陷?
140:?導電材料?
140a:第二導電層?
142:?導電通孔?
144:?第二導電圖案?
152:?第一防焊層?
154:?第二防焊層?
160:?保護層?
170:?焊料球?
具體實施方式
電子元件封裝方法?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





