[發明專利]電子元件封裝結構及其封裝方法有效
| 申請號: | 201210244658.8 | 申請日: | 2012-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN103545225A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 曾子章;江書圣;陳宗源;程石良 | 申請(專利權)人: | 欣興電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/58 | 分類號: | H01L21/58;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子元件 封裝 結構 及其 方法 | ||
1.一種電子元件封裝方法,包括:
提供一線路基板,該線路基板包括基底以及配置于該基底上的第一導電圖案;
將一電子元件配置于該線路基板上,該電子元件具有至少一電極;
形成一介電層于該線路基板上,以覆蓋該電子元件、該電極以及該第一導電圖案,其中該第一導電圖案在該介電層上形成一第一凹陷圖案;
圖案化該介電層,以形成延伸至該第一導電圖案的一貫孔以及連通該貫孔且暴露出該電極的一第二凹陷圖案;
填入導電材料于該貫孔以及該第二凹陷圖案中,以在該貫孔中形成一導電通孔且在該第二凹陷圖案中形成一第二導電圖案;
移除該基底;以及
將一第一防焊層及一第二防焊層分別形成于該第一導電圖案以及該第二導電圖案上,其中該第一防焊層暴露出部分的該第一導電圖案,且該第二防焊層暴露出部分的該第二導電圖案。
2.如權利要求1所述的電子元件封裝方法,其中提供該線路基板的方法包括:
提供該基底以及配置于該基底上的一第一導電層;以及
圖案化該第一導電層,以形成一電鍍籽晶層及位于該電鍍籽晶層上的該第一導電圖案。
3.如權利要求1所述的電子元件封裝方法,其中在形成該介電層的步驟中,該介電層形成于該線路基板上以全面性覆蓋該電子元件以及該第一導電圖案。
4.如權利要求1所述的電子元件封裝方法,其中該第二凹陷圖案具有第一凹陷以及位于該第一凹陷相對兩側的兩個第二凹陷,且該些第二凹陷的任一的深度大于該第一凹陷的深度。
5.如權利要求1所述的電子元件封裝方法,其中在填入導電材料于該貫孔以及該第二凹陷圖案中的步驟包括:
形成一第二導電層于該第二凹陷圖案上,其中該第二導電層延伸至該貫孔以及該第二凹陷圖案內且全面性覆蓋該介電層;
移除部分的該第二導電層而留下填入該貫孔的該導電通孔以及填入在該第二凹陷圖案中的該第二導電圖案。
6.如權利要求1所述的電子元件封裝方法,其中提供該線路基板的方法包括:
提供該基底以及配置于該基底上的一第一導電層;以及
圖案化該第一導電層,以形成該第一導電圖案,其中該第一導電圖案暴露出部分的該基底。
7.一種電子元件封裝結構,包括:
介電層,具有第一表面、相對于該第一表面的第二表面、配置于該第一表面上且凹陷于該第一表面的第一凹陷圖案、配置于該第二表面上且凹陷于該第二表面的至少一第二凹陷圖案以及由該第一凹陷圖案延伸至該第二凹陷圖案的至少一貫孔;
電子元件,埋在該介電層中并具有至少一電極,該電極暴露于該第二凹陷圖案;
第一導電圖案,填入該第一凹陷圖案;
第二導電圖案,填入該第二凹陷圖案而與該電子元件的該電極連接;
導電通孔,填入該貫孔而連接該第一導電圖案以及第二導電圖案;
第一防焊層,配置于該介電層的該第一表面以及該第一導電圖案上,并暴露出部分的該第一導電圖案;以及
第二防焊層,配置于該介電層的該第二表面以及該第二導電圖案上,并暴露出部分的該第二導電圖案。
8.如權利要求7所述的電子元件封裝結構,其中該第一導電圖案實質上與該第一表面切齊,而該第二導電圖案實質上與該第二表面切齊。
9.如權利要求7所述的電子元件封裝結構,還包括:
保護層,其中被該第一防焊層暴露出的部分該第一導電圖案以及被該第二防焊層暴露出的部分該第二導電圖案形成多個接墊,且該保護層覆蓋該些接墊的一個。
10.如權利要求7所述的電子元件封裝結構,還包括:
焊料球,其中被該第一防焊層暴露出的部分該第一導電圖案以及被該第二防焊層暴露出的部分該第二導電圖案形成多個接墊,且該焊料球連接該些接墊的一個。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于欣興電子股份有限公司,未經欣興電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210244658.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





