[發明專利]一種用于高k金屬柵極NMOS晶體管的測試裝置和測試方法有效
| 申請號： | 201210243866.6 | 申請日： | 2012-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN103543396A | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發明（設計）人： | 馮軍宏;甘正浩 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 金屬 柵極 nmos 晶體管 測試 裝置 方法 | ||
1.一種用于高k金屬柵極NMOS晶體管的測試裝置，其特征在于，包括：
電阻，所述電阻連接在所述測試裝置的輸入端和輸出端之間；以及
二極管，所述二極管的正極用于與偏壓源連接，所述二極管的負極連接至所述測試裝置的所述輸出端，
其中，所述測試裝置的所述輸入端用于接收測試信號，且所述測試裝置的所述輸出端用于連接待測試的NMOS晶體管的柵極。
2.如權利要求1所述的測試裝置，其特征在于，所述偏壓源的電壓低于所述測試信號的測試電壓。
3.如權利要求2所述的測試裝置，其特征在于，所述偏壓源的電壓大于或等于0.6V。
4.如權利要求1所述的測試裝置，其特征在于，所述電阻的阻值為102-106歐姆。
5.如權利要求1所述的測試裝置，其特征在于，所述測試裝置用于晶片級可靠性測試或封裝級可靠性測試。
6.如權利要求1所述的測試裝置，其特征在于，所述待測試的NMOS晶體管具有高K介電層。
7.如權利要求1所述的測試裝置，其特征在于，所述測試裝置用于正偏壓溫度不穩定性測試。
8.如權利要求1所述的測試裝置，其特征在于，所述測試裝置可以避免恢復效應的影響。
9.一種使用權利要求1-8中任一項所述的測試裝置測試高k金屬柵極NMOS晶體管的正偏壓溫度不穩定性的方法，其特征在于，包括：
使所述測試裝置的所述輸入端接收測試信號；以及
將所述測試裝置的所述輸出端連接至所述待測試的NMOS晶體管的柵極。
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