[發明專利]大面積納米結構陣列的制備方法有效
| 申請號： | 201210243831.2 | 申請日： | 2012-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN103540985A | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發明（設計）人： | 王堅;何增華;王暉 | 申請（專利權）人： | 盛美半導體設備(上海)有限公司 |
| 主分類號： | C25D11/02 | 分類號： | C25D11/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 陸勍 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 大面積 納米 結構 陣列 制備 方法 | ||
1.一種大面積納米結構陣列的制備方法，包括如下步驟：
（1）提供一導電基體；
（2）在所述導電基體上沉積一金屬薄膜層，其中所述金屬薄膜層被劃分成多個區域；
（3）測量所述金屬薄膜層上多個區域的厚度及所述多個區域的厚度與電化學氧化時間之間的一一對應關系；
（4）潤濕所述金屬薄膜層的表面并對所述表面進行第一氧化處理；
（5）對所述金屬薄膜層進行第二氧化處理，并根據所述金屬薄膜層上多個區域的厚度與電化學氧化時間之間一一對應關系控制所述金屬薄膜層上的所述多個區域的氧化時間。
2.根據權利要求1所述的大面積納米結構陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟（3）包括測量所述金屬薄膜層的所述多個區域中的一部分區域的厚度，并根據測量結果計算出所述金屬薄膜層上所有區域的厚度。
3.根據權利要求1所述的大面積納米結構陣列的制備方法，其特征在于：在所述步驟（2）之后，且在所述步驟（3）之前，在所述導電基體的側壁及所述金屬薄膜層表面的邊緣及其側壁涂覆一層絕緣高分子材料。
4.根據權利要求1所述的大面積納米結構陣列的制備方法，其特征在于：所述金屬薄膜層的材料選自下列之一：Ti、W、Ta、Sn、Al、Ta3N5。
5.根據權利要求1所述的大面積納米結構陣列的制備方法，其特征在于：所述金屬薄膜層通過磁控濺射或電化學沉積方法沉積在所述導電基體上。
6.根據權利要求1所述的大面積納米結構陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟（4）包括：用電解液潤濕所述金屬薄膜層的表面并采用電化學氧化方法對所述表面進行第一氧化處理，以形成一氧化層。
7.一種大面積納米結構陣列的制備方法，包括如下步驟：
（1）提供一導電基體；
（2）在所述導電基體上沉積一金屬薄膜層，其中所述金屬薄膜層被劃分成多個區域；
（3）測量所述金屬薄膜層上多個區域的厚度及所述多個區域的厚度與電化學氧化電壓/電流之間的一一對應關系；
（4）潤濕所述金屬薄膜層的表面并對所述表面進行第一氧化處理；
（5）對所述金屬薄膜層進行第二氧化處理，并根據所述金屬薄膜層上多個區域的厚度與電化學氧化電壓/電流之間一一對應關系控制所述金屬薄膜層上的所述多個區域的氧化電壓/電流。
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