[發明專利]聚合物組合物以及包含所述聚合物的光刻膠在審
| 申請號: | 201210242995.3 | 申請日: | 2012-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN102796223A | 公開(公告)日: | 2012-11-28 |
| 發明(設計)人: | G·P·普洛科泊維茲;G·波勒斯;李明琦;C·吳;劉驄;C·徐 | 申請(專利權)人: | 羅門哈斯電子材料有限公司 |
| 主分類號: | C08F222/14 | 分類號: | C08F222/14;C08F222/20;G03F7/004;G03F7/09 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 江磊 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚合物 組合 以及 包含 光刻 | ||
相關申請的交叉引用
本申請是2011年5月27日提交的申請號為61/490,883的美國臨時申請的正式申請,要求該臨時申請的優先權,其全部內容在此引入作為參考。
背景技術
光刻膠,特別是為193nm光刻配制的那些光刻膠,傾向于具有極低的未曝光溶解速率。不同于在248nm曝光波長下使用的深紫外(DUV)光刻膠聚合物,其主要基于能使聚合物在堿性顯影劑中溶解的堿溶性4-羥基苯乙烯單體(HSM)衍生單元,193nm光刻膠聚合物不能包含最常用的芳族單體,例如在193nm具有高吸收率的HSM。作為替代,已使用包含其它堿溶性基團的單體單元,或在193nm具有相對低吸收率的那些芳族單體,例如較少吸收性的2-羥基-6-乙烯基-萘或包含六氟醇基(HFA)單元的單體。然而迄今為止,包含基于這些堿溶性基團的聚合物的光刻膠顯示出低線寬粗糙度(LWR)。另外,相對于非-氟化單體例如HSM,就HFA基單體而言,由于氟的存在,包含這些基團的聚合物不利地降低了抗蝕刻性。
已記載有具有堿溶性和高透明性的其它官能團,例如在日本專利JP63-127237、JP?1998-060056和JP?1999-1065953,以及歐洲專利EP?0875496?A1中發現的那些官能團。然而,仍然需要用于193nm的、顯示出改善LWR和蝕刻控制的光刻膠聚合物。
發明內容
現有技術的上述缺陷及其它不足可通過下述實施方案克服。在一個實施方案中,提供了一種共聚物,其包含式(I)所示堿溶性單體和可與式(I)所示堿溶性單體共聚的其他單體的聚合產物:
其中,Ra是H、F、C1-10烷基、或C1-10氟烷基,L1是m價的C2-30亞烷基、C3-30亞環烷基、C6-30亞芳基、C7-30亞芳烷基基團,X1獨立地是包含β-二酮、β-酯-酮、β-二酯或包含上述至少一種的組合的堿溶性有機基團。
在另一個實施方案中,提供了一種光刻膠,其包含:
一種共聚物,該共聚物包含式(I)所示的堿溶性單體和可與式(I)所示堿溶性單體共聚的其他單體的聚合產物:
其中,Ra是H、F、C1-10烷基、或C1-10氟烷基,L1是m價的C2-30亞烷基、C3-30亞環烷基、C6-30亞芳基、C7-30亞芳烷基基團,X1獨立地是包含β-二酮、β-酯-酮、β-二酯或包含上述至少一種的組合的堿溶性有機基團;
光產酸劑(photoacid?generator);和
任選第二酸敏聚合物以及胺或酰胺添加劑。
在另一個實施方案中,提供了一種包含光刻膠的涂膜,所述光刻膠包含:一種共聚物,所述共聚物包含式(I)所示的堿溶性單體和可與式(I)所示堿溶性單體共聚的其他單體的聚合產物:
其中,Ra是H、F、C1-10烷基、或C1-10氟烷基,L1是m價的C2-30亞烷基、C3-30亞環烷基、C6-30亞芳基、C7-30亞芳烷基基團,X1獨立地是包含β-二酮、β-酯-酮、β-二酯或包含上述至少一種的組合的堿溶性有機基團;光產酸劑;和任選的第二酸敏聚合物以及胺或酰胺添加劑。
附圖說明
從結合附圖的下述詳細說明可明顯看出本發明的上述及其它的目標、特點和優點,其中:
圖1A和1B為示范性光刻膠的自上而下的掃描電鏡(SEM)圖像,其包括:(A)包括具有β-二羰基化合物的聚合物,和(B)不包括所述含有β-二羰基的聚合物的對照樣;以及
圖2A和2B為示范性光刻膠的橫截面的掃描電鏡(SEM)圖像,其包括:(A)包括具有所述β-二羰基化合物的示例性聚合物,和(B)不包括所述含有β-二羰基的聚合物的對照樣。
詳細說明
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