[發明專利]具有嵌鑲字線的三維非易失存儲單元陣列及其形成方法

有效

• 申請號: 201210242993.4
• 申請日: 2012-07-13
• 公開（公告）號: CN103545261A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 陳士弘;施彥豪;呂函庭
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L27/115
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種形成一三維非易失存儲單元陣列的方法，包含：

形成第一多個材料線于多個非易失存儲結構疊層之上，該第一多個材料線是通過第一多個字線溝道將該第一多個材料線彼此分隔；

通過氧化該第一多個材料線兩側的材料線自該第一多個材料線中產生多個部分氧化的結構，該多個部分氧化的結構包括多條氧化物線與第一多個變窄的材料線接壤，其中該第一多個變窄的材料線中的變窄的材料線具有較該第一多個材料線中的材料線更窄的寬度；

除去與該多條氧化物線接壤的該第一多個變窄的材料線，以形成第二多個字線溝道；以及

形成多條字線于該第一多個字線溝道及該第二多個字線溝道中的該多個非易失存儲結構疊層之上。

2.根據權利要求1所述的方法，更包含：

于除去覆蓋該多個非易失存儲結構疊層的該第一多個變窄的材料線之后，蝕刻該第二多個字線溝道中覆蓋該多個非易失存儲結構疊層的裸露氧化物；以及

形成氧化物覆蓋該第二多個字線溝道中的該多個非易失存儲結構疊層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中該多條氧化線的一條氧化線具有孔洞，該方法更包含：

于除去該第一多個變窄的材料線之后，將該第二多個字線溝道的至少一條字線溝道中的殘留材料進行氧化以至少部分填充該孔洞。

4.根據權利要求1所述的方法，更包括：

于氧化包含第一及第二材料線表面的該第一多個材料線兩側的材料線之前，形成覆蓋該第一多個材料線的第三材料線表面的氧化掩模，該第三材料線表面將該第一及第二材料線表面結合。

5.根據權利要求1所述的方法，其中形成該第一多個材料線包括：

形成一層材料于該多個非易失存儲結構疊層之上，且自該層材料中除去多余的材料以保留該第一多個材料線以及在該第一多個材料線相鄰的材料線間形成該第一多個字線溝道。

6.根據權利要求1所述的方法，更包含：于形成該第一多個字線溝道之前，形成包括由絕緣材料分隔的多個長條半導體以及電荷儲存結構覆蓋于多個長條半導體之上的該多個非易失存儲結構疊層。

7.一種形成一三維非易失存儲單元陣列的方法，包含：

形成多個部分氧化的硅線于多個非易失存儲結構疊層之上，該多個部分氧化的硅線具有多個未氧化的硅線于該多個部分氧化的硅線的中間部分及多個氧化的線于該多個部分氧化的硅線的外側部分；

通過自多個部分氧化的硅線的中間部分除去該多個未氧化的硅線，及保留該多個部分氧化的硅線的外側部分的該多個氧化的線，而形成多個字線溝道于該多個部分氧化的硅線之中；以及

形成多條字線于該多個字線溝道中的該多個非易失存儲結構疊層之上。

8.根據權利要求7所述的方法，更包含：

于除去覆蓋該多個非易失存儲結構疊層的該多個未氧化的硅線之后，蝕刻該第二多個字線溝道中覆蓋該多個非易失存儲結構疊層的裸露氧化物；以及

形成氧化物覆蓋該多個字線溝道中的該多個非易失存儲結構疊層。

9.根據權利要求7所述的方法，更包括：

形成覆蓋該多個非易失存儲結構疊層的該多條硅線的硅線上表面的氧化掩模；以及

將該多條硅線中硅線的兩個裸露表面氧化。

10.一種具有三維非易失存儲單元陣列的集成電路，包含：

多條雙重圖案化的字線；

多條氧化硅線分隔相鄰的該多條字線；

多個非易失存儲結構疊層于該三維陣列中，該多個非易失存儲結構疊層由該多條字線及該多條氧化硅線覆蓋，該多個非易失存儲結構疊層包含一氮化硅層，該多個非易失存儲結構疊層包含一第一部分由該多條字線覆蓋及一第二部分由該多條氧化硅線覆蓋，該第一部分中的該氮化硅層具有較該第一部分中的該氮化硅層更小的厚度。