[發明專利]用于制造半導體封裝的方法

有效

• 申請號: 201210242485.6
• 申請日: 2012-07-12
• 公開（公告）號: CN102881605A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 保羅·加尼澤爾;馬丁·斯坦丁
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/768
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種用于制造半導體封裝的方法，該方法包括：

提供襯底，所述襯底具有相對的第一表面和第二表面，且在預定位置處具有從所述第一表面通過其至所述第二表面而形成的一個或多個通孔；

提供至少一個第一芯片，所述第一芯片具有第一和第二相對的表面，并在所述至少一個第一芯片的所述第一表面上具有一個或多個第一接觸端；

放置所述至少一個第一芯片，使其所述第一表面在所述襯底的所述第一表面上，且在其間所述一個或多個通孔的外部涂覆有粘合劑，使得所述一個或多個通孔與所述一個或多個第一接觸端對準，由此形成具有對應的相對的第一表面和第二表面的芯片組件；

為所述芯片組件的所述第一表面配置導電鍍層材料的第一鍍層，以電接觸所述一個或多個第一接觸端，其中，所述第一鍍層的鍍層材料延伸進所述通孔中，以通過其來電接觸所述一個或多個第一接觸端。

2.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述至少一個第一芯片在所述芯片的所述第二表面上配置有一個或多個第二接觸端，以及

其中，該方法還包括為所述芯片組件的所述第二表面配置導電鍍層材料的第二鍍層，以接觸所述一個或多個第二接觸端。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

去除所述第一鍍層的一部分，以在所述芯片組件的所述第一表面上形成與所述至少一個第一接觸端相關聯的至少一個單獨的第一接觸墊。

4.根據權利要求2所述的方法，還包括：

去除所述第一鍍層和所述第二鍍層中的至少一個的一部分，以在所述芯片組件的所述第一表面和所述第二表面中的至少一個上形成分別與所述一個或多個第一接觸端和第二接觸端相關聯的一個或多個單獨的第一接觸墊和第二接觸墊。

5.根據權利要求2所述的方法，還包括：

去除至少所述第一鍍層的一部分，以在所述芯片組件的至少所述第一表面上形成分別與所述一個或多個第一接觸端和第二接觸端相關聯的一個或多個單獨的第一接觸墊，其中，所述提供襯底的步驟包括提供具有多個通孔的所述襯底，所述多個通孔的位置分別與所述一個或多個第一接觸端和第二接觸端以及各個所述第一接觸墊相關聯，其中，所述第一鍍層和所述第二鍍層經由分別與所述一個或多個第二接觸端相關聯的那些一個或多個通孔彼此電接觸。

6.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述至少一個第一芯片在所述芯片的所述第一表面上配置有多個第一接觸端，其中，所述襯底配置有多個通孔，

其中，所述芯片被放置在所述襯底上，使所述多個第一接觸端與所述多個通孔對準，且其中，該方法還包括去除所述第一鍍層的一部分，以在所述芯片組件的所述第一表面上形成與所述多個第一接觸端相關聯的單獨的接觸墊。

7.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述一個或多個通孔中的一些分別由多個子通孔形成，所述子通孔的包絡形成相應通孔的外周邊。

8.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述一個或多個通孔中的一些分別作為單個獨立通孔而形成。

9.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述襯底是膜型或面板型襯底。

10.根據權利要求3所述的方法，

其中，利用刻蝕來進行對所述第一鍍層的一部分的去除。

11.根據權利要求2所述的方法，

其中，所述第一鍍層和所述第二鍍層各自包括種子層，所述種子層分別與至少一個所述第一接觸端和所述第二接觸端接觸，且其中，所述第一鍍層和所述第二鍍層各自包括覆蓋相應的所述種子層的向上鍍層。

12.根據權利要求1所述的方法，

其中，在將所述芯片放置在所述襯底的所述第一表面上之前，所述襯底的所述第一表面配置有導電層，且其中，所述導電層在要放置所述至少一個第一芯片的位置處配置有凹槽。

13.根據權利要求1所述的方法，還包括：

沿著所述至少一個第一芯片的周邊芯片邊緣配置電隔離材料，以提供使所述周邊芯片邊緣電隔離的邊緣保護。

14.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述粘合劑被涂覆至整個可用表面區域的僅分別由所述襯底的所述第一表面和所述至少一個第一芯片的所述第一表面限定的一部分。