[發明專利]氮化物半導體發光器件

無效

• 申請號: 201210242004.1
• 申請日: 2012-07-12
• 公開（公告）號: CN102881794A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 李哉勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/04
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張天舒

1.一種氮化物發光器件，其包括：

N型氮化物半導體層；

P型氮化物半導體層；以及

有源層，其布置在所述N型氮化物半導體層和所述P型氮化物半導體層之間，

其中，所述P型氮化物半導體層包括：

異質結結構，其包括：GaN層和摻有N型摻雜劑的N型Al_xIn_yGaN層，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且x+y=1；以及二維電子氣層，其布置在所述GaN層和所述N型Al_xIn_yGaN層之間的界面中。

2.權利要求1的氮化物發光器件，其中，所述P型氮化物半導體層包括形成在所述有源層上的P型包覆層和形成在所述P型包覆層上的P型接觸層。

3.權利要求2的氮化物發光器件，其中，在所述P型接觸層內部形成所述異質結結構。

4.權利要求2的氮化物發光器件，其中，在所述P型包覆層內部形成所述異質結結構。

5.權利要求3的氮化物發光器件，其中，所述P型接觸層包括第一P型接觸層和第二P型接觸層，所述第一P型接觸層布置在所述異質結結構的上側，所述第二P型接觸層布置在所述異質結結構的下側，并且所述第一P型接觸層和所述第二P型接觸層具有相同的成分。

6.權利要求2的氮化物發光器件，其中，所述P型接觸層由P⁺-GaN形成。

7.權利要求1的氮化物發光器件，其中，所述P型氮化物半導體層包括布置在所述有源層上的P型包覆層和布置在所述P型包覆層上的P型接觸層，

其中，所述異質結結構處在所述P型包覆層中。

8.權利要求1的氮化物發光器件，其中，利用所述異質結結構在所述有源層處形成所述GaN層。

9.權利要求1的氮化物發光器件，其中，所述GaN層是未摻雜層。

10.權利要求1的氮化物發光器件，其中，所述GaN層具有5nm到50nm的厚度。

11.權利要求1的氮化物發光器件，其中，所述GaN層具有7nm到15nm的厚度。

12.權利要求1的氮化物發光器件，其中，所述N型Al_xIn_yGaN層的N型摻雜劑是Si。

13.權利要求1的氮化物發光器件，其中，所述N型Al_xIn_yGaN層由包含從15%到45%的Al含量的AlGaN形成。

14.權利要求1的氮化物發光器件，其中，所述N型Al_xIn_yGaN層具有10nm到50nm的厚度。

15.權利要求1的氮化物發光器件，其中，所述N型Al_xIn_yGaN層具有15nm到30nm的厚度。

16.權利要求1的氮化物發光器件，還包括：

N型電極，其布置在所述N型氮化物半導體層上，以及

P型電極，其布置在所述P型氮化物半導體層上并且由透明導電材料形成，

其中，光通過所述P型電極發出。

17.權利要求1的氮化物發光器件，還包括：

N型電極，其布置在所述N型氮化物半導體層上，以及

P型電極，其布置在所述P型氮化物半導體層上，

其中，光通過所述N型氮化物半導體層發出。

18.權利要求1的氮化物發光器件，還包括：

N型電極，其布置在所述N型氮化物半導體層上，以及

P型電極，其布置在所述P型氮化物半導體層上。

19.一種氮化物發光器件，其包括：

N型氮化物半導體層；

P型氮化物半導體層；以及

有源層，其布置在所述N型氮化物半導體層和所述P型氮化物半導體層之間，

其中，所述P型氮化物半導體層包括：

第一P型半導體層，其布置在所述有源層上；

異質結結構，其包括：GaN層和摻有N型摻雜劑的N型Al_xIn_yGaN層，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且x+y=1；以及二維電子氣層，其布置在所述GaN層和所述N型Al_xIn_yGaN層之間的界面中；以及

第二P型半導體層，其布置在所述異質結結構上。