[發明專利]一種低功函數金屬柵形成方法有效
| 申請號： | 201210241699.1 | 申請日： | 2012-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN103545182A | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發明（設計）人： | 韓鍇;王曉磊;王文武;楊紅;馬雪麗 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李可;姜義民 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 函數 金屬 形成 方法 | ||
1.一種低功函數金屬柵形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在襯底上生長界面層薄膜；
在界面層薄膜上生長高K柵介質層；
在高K柵介質層上沉積金屬柵功函數層；
在金屬柵功函數層上沉積功函數調節層；
在功函數調節層上沉積填充金屬，并進行熱處理；
進行一次熱退火處理和/或二次熱退火處理，其中，所述一次熱退火處理在生長高K柵介質層完成后進行，所述二次熱退火處理在沉積金屬柵功函數層完成后進行。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，包括：所述一次熱退火處理溫度為300-600°C。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，包括：所述一次熱退火處理時間為5s-2min。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，包括：所述一次熱退火處理在氮氣或少量氧氣的環境中進行。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，包括：所述二次熱退火處理溫度為300-600°C。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，包括：所述二次熱退火處理時間為5s-5min。
7.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，包括：所述二次熱退火處理在氮氣或少量氧氣的環境中進行。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其特征在于：所述金屬柵功函數層材料為TiN或TaN。
9.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其特征在于，所述功函數調節層材料為Al或TiAl或Ti。
10.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其特征在于，所述高K柵介質層厚度為2-4nm。
11.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其特征在于，所述金屬柵功函數層厚度為1-5nm。
12.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其特征在于，所述功函數調節層厚度為0.2-7nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院微電子研究所，未經中國科學院微電子研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210241699.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種橡膠籽苗裸根芽接樁育苗方法
- 下一篇：金屬柵極的形成方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
