[發(fā)明專利]燈條的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210241118.4
• 申請日: 2012-07-12
• 公開（公告）號: CN103542310A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林賢昌;陳仁豪
• 申請（專利權(quán)）人: 達昌電子科技(蘇州)有限公司
• 主分類號: F21S4/00
• 分類號: F21S4/00;F21V19/00;F21V23/00;F21Y101/02
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種燈條的制造方法，其特征在于，包括：

提供一軟性排線，所述軟性排線包括一金屬導線及包覆該金屬導線的一絕緣層，該絕緣層上設(shè)有數(shù)個開口，該些開口沿著該絕緣層的長度方向間隔設(shè)置，該金屬導線上設(shè)有數(shù)個安裝部，該些安裝部對應(yīng)于該些開口設(shè)置；

設(shè)置數(shù)個發(fā)光二極管芯片于所述安裝部上；

對該些發(fā)光二極管芯片進行一打線制程；及

對該些發(fā)光二極管芯片進行一封裝制程。

2.如權(quán)利要求1所述的燈條的制造方法，其特征在于，提供所述軟性排線的步驟包括：

提供一第一絕緣層，所述第一絕緣層上設(shè)有該些開口，該些開口沿著該第一絕緣層的長度方向間隔設(shè)置；

設(shè)置所述金屬導線于該第一絕緣層上，該金屬導線對應(yīng)于該些開口設(shè)置；

對所述金屬導線進行一切斷制程，以使該金屬導線上形成該些安裝部；及

設(shè)置一第二絕緣層于所述金屬導線上，使該金屬導線被包覆于該第二絕緣層與該第一絕緣層之間。

3.如權(quán)利要求1所述的燈條的制造方法，其特征在于，每一所述安裝部包括一前接點、連接該前接點的一植晶區(qū)及一后接點，該植晶區(qū)與該后接點之間設(shè)有一截斷點，該前接點、該植晶區(qū)及該后接點經(jīng)由該開口外露于該絕緣層。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的燈條的制造方法，其特征在于，還包括于設(shè)置所述發(fā)光二極管芯片于該些安裝部上的步驟前，設(shè)置數(shù)個燈杯于該絕緣層上且對應(yīng)于該些開口設(shè)置。

5.如權(quán)利要求4所述的燈條的制造方法，其特征在于，設(shè)置所述燈杯于該絕緣層上的方法為超音波振蕩加工法。

6.如權(quán)利要求4所述的燈條的制造方法，其特征在于，設(shè)置所述燈杯于該絕緣層上的方法為粘膠固定法。

7.如權(quán)利要求2所述的燈條的制造方法，其特征在于，提供所述第一絕緣層的步驟包括于該第一絕緣層上設(shè)有數(shù)個另一開口，該些另一開口沿著該第一絕緣層的長度方向間隔設(shè)置，且該些另一開口與該些開口呈平行排列設(shè)置。

8.如權(quán)利要求7所述的燈條的制造方法，其特征在于，設(shè)置所述金屬導線于該第一絕緣層上的步驟中包括設(shè)置另一金屬導線于該第一絕緣層上，該另一金屬導線對應(yīng)于該些另一開口設(shè)置，且該另一金屬導線與該金屬導線呈平行排列設(shè)置。

9.如權(quán)利要求8所述的燈條的制造方法，其特征在于，設(shè)置所述第二絕緣層于該金屬導線上的步驟中包括于設(shè)置該第二絕緣層于該另一金屬導線上，使該另一金屬導線被包覆于該第二絕緣層與該第一絕緣層之間。

10.如權(quán)利要求9所述的燈條的制造方法，其特征在于，還包括于對該些發(fā)光二極管芯片進行該封裝制程的步驟后，對該第一絕緣層與該第二絕緣層進行一切割制程，以將該另一金屬導線分離于該金屬導線從而形成二燈條。