[發(fā)明專利]用于靜電保護的高壓NLDMOS結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210240391.5
• 申請日: 2012-07-12
• 公開（公告）號: CN103545365A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇慶;苗彬彬;王邦磷;鄧樟鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 張驥

1.一種用于靜電保護的高壓NLDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括一N型LDMOS，形成于一硅襯底上方的N型埋層內(nèi)；N型LDMOS排列成多指狀結(jié)構(gòu)；位于兩個漏區(qū)之間的源區(qū)為共源區(qū)；

所述漏區(qū)的有源區(qū)內(nèi)由N型有源區(qū)與P型有源區(qū)沿長度方向相間排布；

所述共源區(qū)內(nèi)插入P型有源區(qū)，P型有源區(qū)嵌入在N型有源區(qū)內(nèi)，P型有源區(qū)將源區(qū)內(nèi)的N型有源區(qū)分別隔開；P型有源區(qū)與N型有源區(qū)沿長度方向相間排布；

所有的漏極共連接ESD進入端，所有的源極共連接地，所有的柵極共連接信號端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于靜電保護的高壓NLDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述共源區(qū)內(nèi)的P型有源區(qū)的寬度在0.3～100um之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于靜電保護的高壓NLDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述漏區(qū)包括形成于N型埋層中的高壓N阱，高壓N阱內(nèi)形成有N-注入?yún)^(qū)，N-注入?yún)^(qū)內(nèi)形成有所述N型有源區(qū)，N型有源區(qū)內(nèi)間隔排布有所述P型有源區(qū)；N型有源區(qū)沿寬度方向上能夠完全包圍住P型有源區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于靜電保護的高壓NLDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述共源區(qū)包括形成于N型埋層中的高壓P阱，高壓P阱內(nèi)形成有所述N型有源區(qū)，N型有源區(qū)內(nèi)間隔排布有所述P型有源區(qū)；P型有源區(qū)沿寬度方向上能夠完全包圍住N型有源區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于靜電保護的高壓NLDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述源區(qū)為N+有源區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于靜電保護的高壓NLDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述N型有源區(qū)為N+注入?yún)^(qū)；所述P型有源區(qū)為P+注入?yún)^(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于靜電保護的高壓NLDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述N型LDMOS的最外側(cè)是漏區(qū)。