[發明專利]導電線路裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201210239969.5
• 申請日: 2012-07-12
• 公開（公告）號: CN103547056A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 廖本逸;吳明俊;曾奕霖;吳宗翰;林榮棋
• 申請（專利權）人: 綠點高新科技股份有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K3/00;H05K3/18
• 代理公司: 上海一平知識產權代理有限公司 31266
• 代理人: 任永武;須一平

1.一種導電線路裝置，其特征在于該導電線路裝置包含：

一個基材，具有一個絕緣上表面；

一層疏水性抗鍍層，由一種疏水性材料所做成，形成在該絕緣上表面，且具有至少一個穿孔，該穿孔曝露出該絕緣上表面的一個電鍍區；

一層活性金屬層，形成在該電鍍區上并位于該穿孔內；以及

一層無電鍍金屬層，無電鍍于該活性金屬層上。

2.如權利要求1所述的導電線路裝置，其特征在于：該疏水性抗鍍層具有一個遠離該基材的絕緣上表面的上表面，該無電鍍金屬層具有一個上表面，該無電鍍金屬層的上表面實質上與該疏水性抗鍍層的上表面連接而共同形成一個連續的平面。

3.如權利要求1所述的導電線路裝置，其特征在于：該疏水性材料為一種疏水性樹脂，該疏水性樹脂是選自聚碳酸酯、聚二甲基硅氧烷己二酸二酰胺、聚丙烯，及所述材料的組合的其中之一。

4.如權利要求3所述的導電線路裝置，其特征在于：該聚碳酸酯具有一個1000-4000的分子量、該聚二甲基硅氧烷己二酸二酰胺具有一個1000-4000的分子量，及該聚丙烯具有一個1000-4000的分子量。

5.如權利要求1所述的導電線路裝置，其特征在于：該疏水性材料為一種蠟材。

6.如權利要求5所述的導電線路裝置，其特征在于：該蠟材包括蠟及一種無機氧化物，該無機氧化物是選自二氧化硅、二氧化鈦、氧化鎂、氧化鋯，及所述材料的組合的其中之一。

7.如權利要求6所述的導電線路裝置，其特征在于：該蠟材包括60-95wt％蠟及5-40wt％無機氧化物。

8.如權利要求6所述的導電線路裝置，其特征在于：該蠟具有一個低于60℃的熔點。

9.如權利要求1所述的導電線路裝置，其特征在于：該基材是由一種選自聚碳酸酯、丙烯酸酯樹脂與丙烯-丁二烯-苯乙烯樹脂的混合物，及聚碳酸酯與丙烯-丁二烯-苯乙烯樹脂的混合物所做成。

10.如權利要求1所述的導電線路裝置，其特征在于：該活性金屬是擇自于鈀、銠、鉑、銥、鋨、金、鎳、鐵，及所述金屬材料的組合的其中之一。

11.如權利要求1所述的導電線路裝置，其特征在于：該無電鍍金屬層的材料是選自銅、金、銀及鎳的其中之一。

12.一種制造導電線路裝置的方法，其特征在于該方法包含：

(a)在一個基材的一個絕緣上表面形成一層由一種疏水性材料所做成的疏水性抗鍍層；

(b)以激光蝕刻方式在該疏水性抗鍍層上形成一個穿孔，以曝露該絕緣上表面的一個電鍍區；

(c)使形成有該疏水性抗鍍層的該基材的絕緣上表面的電鍍區接觸一種活性金屬水溶液，使得該絕緣上表面的電鍍區被該活性金屬水溶液潤濕，借此在該絕緣上表面的電鍍區上形成一層活性金屬層；以及

(d)以無電鍍方式在該活性金屬層上形成一層無電鍍金屬層。

13.如權利要求12所述的制造導電線路裝置的方法，其特征在于：步驟(c)是通過將形成有該疏水性抗鍍層的該基材浸泡在該活性金屬水溶液，之后再自該活性金屬水溶液中取出而完成。

14.如權利要求12所述的制造導電線路裝置的方法，其特征在于：該疏水性材料為一種疏水性樹脂，該疏水性樹脂是選自聚碳酸酯、聚二甲基硅氧烷己二酸二酰胺、聚丙烯，及所述材料的組合的其中之一。

15.如權利要求14所述的制造導電線路裝置的方法，其特征在于：該該聚碳酸酯具有一個1000-4000的分子量、該聚二甲基硅氧烷己二酸二酰胺具有一個1000-4000的分子量，及該聚丙烯具有一個1000-4000的分子量。

16.如權利要求12所述的制造導電線路裝置的方法，其特征在于：該疏水性材料為一種蠟材。

17.如權利要求16所述的制造導電線路裝置的方法，其特征在于：該蠟材包括蠟及一種無機氧化物，該無機氧化物是選自二氧化硅、二氧化鈦、氧化鎂、氧化鋯，及所述材料的組合的其中之一。

18.如權利要求17所述的制造導電線路裝置的方法，其特征在于：該蠟材包括60-95wt％蠟及5-40wt％無機氧化物。