[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210239365.0
• 申請日: 2012-07-10
• 公開（公告）號: CN102881680A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 松木浩久;作間正雄
• 申請（專利權）人: 富士通半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01Q1/22
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 柳春雷

1.一種半導體器件，包括：

電路板；

半導體元件，其安裝在所述電路板上；

屏蔽層，其設置在所述半導體元件的上表面上；

天線元件，其設置在所述屏蔽層的上方；以及

連接部分，其經過所述屏蔽層，并電連接所述半導體元件和所述天線元件。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述連接部分包括硅通孔。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述連接部分具有柱狀形狀，并經過所述屏蔽層以電連接到所述半導體元件，并且

所述天線元件電連接到所述連接部分。

4.根據權利要求1所述的半導體元件，還包括：

密封樹脂，其密封所述半導體元件，其中

所述天線元件設置在所述密封樹脂上，

所述連接部分具有柱狀形狀，并經過所述密封樹脂以電連接到所述電路板，并且

所述天線元件電連接到所述連接部分。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體器件，其中

所述天線元件包括

第一天線層，其設置在所述屏蔽層的上方，

第二天線層，其設置在所述第一天線層的上方，和

介質層，其設置在所述第一天線層和所述第二天線層之間。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，其中

所述天線元件包括

天線層，其設置在所述屏蔽層的上方，和

介質層，其設置在所述屏蔽層和所述天線層之間。

7.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述天線元件包括經過所述介質層的導電部分。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述屏蔽層包括包含磁性顆粒的樹脂層。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述屏蔽層包括由磁性材料組成的磁性層。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述屏蔽層包括由金屬材料組成的金屬層。

11.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在半導體元件的上表面形成屏蔽層；

形成柱狀連接部分，以經過所述屏蔽層，并電連接到所述半導體元件；

在所述屏蔽層的上方形成天線元件，以電連接到所述連接部分；以及

在形成所述天線元件之后將所述半導體元件安裝在電路板上。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述柱狀連接部分包括經過所述半導體元件的硅通孔。

13.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在半導體元件的上表面形成屏蔽層；

在形成所述屏蔽層之后將所述半導體元件安裝在電路板上；

將柱狀連接部分電連接到所述電路板；

用密封樹脂密封所述半導體元件和所述連接部分；并且

在所述密封樹脂的上方形成天線元件，以電連接到所述連接部分。