[發明專利]電壓緩沖裝置有效
| 申請號: | 201210239055.9 | 申請日: | 2012-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN103543776A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 洪俊雄;蔣汝安 | 申請(專利權)人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓 緩沖 裝置 | ||
1.一種電壓緩沖裝置,用于對一芯片提供一帶隙緩沖電壓,其包含:
一運算放大器,具有一輸出端,以及接收一輸入電壓的一輸入端;
一共享源極晶體管,具有連接于該輸出端的一柵極端與對該芯片提供該帶隙緩沖電壓的一漏極端;以及
一開關元件陣列,其包含具有多個第一型晶體管的一第一型晶體管子陣列與具有多個第二型晶體管的一第二型晶體管子陣列,其中該第一型晶體管子陣列的一共享源極端被耦接于該共享源極晶體管的一漏極端,該第一型晶體管子陣列的一漏極端被耦接于該第二型晶體管子陣列的一漏極端,該第二型晶體管子陣列的多個源極端則接地,該第一型晶體管子陣列的多個柵極端以及該第二型晶體管子陣列的多個柵極端分別用于接收多個外部控制信號。
2.根據權利要求1所述的電壓緩沖裝置,其中該第一型晶體管子陣列為一P型開關元件,而該第二型晶體管子陣列為一N型開關元件。
3.一種電壓緩沖裝置,用于對一芯片提供一帶隙緩沖電壓,其包含:
一電壓調節模塊,接收一輸入電壓及一回饋信號,并根據該回饋信號調整該輸入電壓而產生該帶隙緩沖電壓;以及
一開關元件陣列,耦接于該電壓調節模塊,并包含多個互補開關元件組,使一外部控制信號根據該輸入電壓所屬的電平范圍并經由每一互補開關元件組所具有的一共享控制端,致能該多個互補開關元件組其中之一,以經由所致能的該互補開關元件組產生該回饋信號。
4.根據權利要求3所述的電壓緩沖裝置,其中該電壓調節模塊更包含:
一運算放大器,具有一輸出端;以及
一共享源極晶體管,具有連接于該輸出端的一柵極端;
而該開關元件陣列更包含具有多個P型晶體管的一P型晶體管子陣列與具有多個N型晶體管的一N型晶體管子陣列,并且該每一互補開關元件組包含一P型開關元件與一N型開關元件。
5.根據權利要求4所述的電壓緩沖裝置,其中該P型晶體管子陣列的一共享源極端被耦接于該共享源極晶體管的一漏極端,該P型晶體管子陣列的一漏極端被耦接于該N型晶體管子陣列的一漏極端,該N型晶體管子陣列的多個源極端則接地,該P型晶體管子陣列的多個柵極端以及該N型晶體管子陣列的多個柵極端分別用于接收多個外部控制信號。
6.一種電壓緩沖裝置,其包含:
一電壓處理模塊,因應一輸入電壓及一回饋信號而產生一帶隙緩沖電壓;以及
一對稱電路,耦接于該電壓處理模塊,以產生該回饋信號,并因應該輸入電壓而調整該回饋信號。
7.根據權利要求6所述的電壓緩沖裝置,其中該電壓處理模塊包括:
一運算放大器,具有一輸出端;以及
一共享源極晶體管,具有一柵極端連接于該輸出端;
而該對稱電路更包含:
一子陣列P型金屬氧化物半導體場效晶體管,連接于該共享源極晶體管的一漏極端;以及
一子陣列N型金屬氧化物半導體場效晶體管,其一端與該子陣列P型金屬氧化物半導體場效晶體管相耦接,另一端則接地,
其中,該子陣列P型金屬氧化物半導體場效晶體管的一晶體管導通提供一第一電阻,該子陣列N型金屬氧化物半導體場效晶體管的另一晶體管導通提供一第二電阻,并且該多個晶體管導通為互補形式。
8.根據權利要求7所述的電壓緩沖裝置,其中該第一電阻的阻值與該第二電阻的阻值的總和隨著該第一電阻的阻值與該第二電阻的阻值的各別變化而保持一固定值。
9.根據權利要求7所述的電壓緩沖裝置,其中該第二電阻的阻值隨著該輸入電壓而改變,而該運算放大器具有兩個輸入端,及該回饋信號則具有±150mV的變動范圍。
10.根據權利要求6所述的電壓緩沖裝置,其中該帶隙緩沖電壓大于P型金屬氧化物半導體場效晶體管的閾值電壓且為一定值。
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