[發明專利]集成電路芯片封裝件和應用之玻璃倒裝基板結構

有效

• 申請號: 201210237756.9
• 申請日: 2012-07-09
• 公開（公告）號: CN103050463A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 林泰宏
• 申請（專利權）人: 聯詠科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/14
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種集成電路芯片封裝件，包括：

集成電路芯片(IC?chip)，具有一芯片電路面；和

多個銅凸塊，其底面設置于該芯片電路面上。

2.如權利要求1所述的集成電路芯片封裝件，還包括一非導電膠(nonconductive?film，NCF)，形成于該芯片電路面上并覆蓋該些銅凸塊，且該非導電膠具有光穿透性。

3.如權利要求2所述的集成電路芯片封裝件，其中覆蓋該些銅凸塊的該非導電膠具有一平坦表面，且該平坦表面至該些銅凸塊的頂面呈一距離。

4.如權利要求2所述的集成電路芯片封裝件，其中該非導電膠為一透明非導電膠。

5.如權利要求2所述的集成電路芯片封裝件，其中該非導電膠包括高分子樹脂(Base?Resin)，其管芯尺寸在0.05nm~500nm之間。

6.如權利要求2所述的集成電路芯片封裝件，其中該非導電膠包括弱酸或弱堿物質，酸堿值pH為4~6.5之間或7.5~10之間。

7.如權利要求2所述的集成電路芯片封裝件，其中該非導電膠包括氫氧離子根(OH-)，含量為20ppm~5%。

8.如權利要求2所述的集成電路芯片封裝件，其中該非導電膠包括氫氧化鈉(NaOH)或氫氧化鈣(Ca(OH)₂)。

9.如權利要求2所述的集成電路芯片封裝件，其中該非導電膠的一鹵素離子含量為20ppm以下。

10.如權利要求2所述的集成電路芯片封裝件，其中該非導電膠的一鹵素離子含量為2ppm以下。

11.如權利要求2所述的集成電路芯片封裝件，其中該非導電膠的粘度系數在-0.3KPa·S/℃至-8KPa·S/℃之間。

12.如權利要求2所述的集成電路芯片封裝件，其中該非導電膠的粘度系數在-4KPa·S/℃至-5KPa·S/℃之間。

13.如權利要求1所述的集成電路芯片封裝件，其中該些銅凸塊的硬度在80HV以上。

14.如權利要求1所述的集成電路芯片封裝件，其中該些銅凸塊的一表面粗糙度在0.05μm~2μm之間。

15.如權利要求1所述的集成電路芯片封裝件，其中該些銅凸塊的一表面粗糙度在0.8μm~1.2μm之間。

16.如權利要求1所述的集成電路芯片封裝件，其中該些銅凸塊為合金或分層結構，該些銅凸塊的銅金屬成分占總成分的30％重量百分比～100％重量百分比。

17.如權利要求16所述的集成電路芯片封裝件，其中該些銅凸塊為銅鎳金的分層結構。

18.如權利要求1所述的集成電路芯片封裝件，其中該些銅凸塊的銅金屬成分占總成分的90％重量百分比以上。

19.如權利要求1所述的集成電路芯片封裝件，其中該些銅凸塊為99％重量百分比以上的純銅。

20.一種玻璃倒裝基板結構，包括：

權利要求1的集成電路芯片封裝件；

玻璃基板；

多個鋁電極，形成于該玻璃基板上；以及

導電膠，形成于該玻璃基板并覆蓋該些鋁電極，該導電膠包括多個導電粒子，其中

該集成電路芯片封裝件中的該些銅凸塊的頂面通過部分該些導電粒子與對應的該些鋁電極電連接。

21.如權利要求20所述的玻璃倒裝基板結構，其中該導電膠為一單層導電膠材。

22.如權利要求20所述的玻璃倒裝基板結構，其中該導電膠為一各向異性導電膠(ACF)，其包括非導電層與導電層的一復合疊層。

23.如權利要求20所述的玻璃倒裝基板結構，其中該集成電路芯片封裝件還包括非導電膠(nonconductive?film，NCF)，形成于該芯片電路面上并覆蓋該些銅凸塊，該導電膠的該些導電粒子穿破該非導電膠的表面，以電連接該些銅凸塊與該些鋁電極。

24.如權利要求23所述的玻璃倒裝基板結構，其中電連接該些銅凸塊與該些鋁電極的該些導電粒子的數目約為2~200顆。