[發明專利]半導體器件及制造該半導體器件的方法

無效

• 申請號: 201210237416.6
• 申請日: 2012-07-09
• 公開（公告）號: CN102867795A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 押田大介
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種半導體器件，包括：

第一襯底；

第一通路，所述第一通路從所述第一襯底的第一表面穿透所述第一襯底；和

第一互連，所述第一互連掩埋在所述第一襯底的所述第一表面中，并與至少一個第一通路的一端連接，

其中所述第一通路具有傾斜部分，在所述傾斜部分中形成在所述第一通路的側面和所述第一通路的底部之間的角度大于形成在所述第一互連的側面和所述第一互連的底部之間的角度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第一襯底具有第二互連，所述第二互連設置在與所述第一表面相反的第二表面之上，并且

其中所述第一通路的另一端與所述第二互連連接。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中所述第一襯底具有第一層間絕緣膜，所述第一層間絕緣膜設置在所述第二表面之上，

其中所述第二互連掩埋在所述第一層間絕緣膜中，

其中所述第一通路穿透所述第一襯底，并且還穿透所述第一層間絕緣膜，并且

其中所述第一通路的所述另一端與所述第二互連連接。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中所述第二互連是電源互連或接地互連。

5.根據權利要求2至4中的任何一項所述的半導體器件，

其中所述第一襯底具有第一凸塊電極，所述第一凸塊電極在與所述第一表面相反的第二表面之上與所述第二互連連接。

6.根據權利要求2所述的半導體器件，進一步包括：

第三互連，所述第三互連設置在所述第一襯底的所述第一表面之上，和第二襯底，所述第二襯底接合到所述第一襯底的與所述第一表面相反的所述第二表面一側上，

其中所述第二互連借助于凸塊與所述第三互連連接。

7.根據權利要求2所述的半導體器件，進一步包括：

第二襯底，所述第二襯底接合到所述第一襯底的與所述第一表面相反的所述第二表面一側上，和

至少一個第三襯底，接合在所述第一襯底和所述第二襯底之間，

其中所述第二襯底包括第三互連，所述第三互連設置到在所述第一襯底一側上的第一表面上，

其中所述第三襯底包括：

第三通路，所述第三通路從所述第三襯底的第一表面穿透所述第三襯底，并且在一端處形成與所述第三襯底的所述第一表面相同的表面，和

第四互連，所述第四互連設置在與所述第三襯底的所述第一表面相反的所述第三襯底的第二表面之上，并且與所述第三通路的另一端連接，并且

其中所述第三通路的所述一端或所述第四互連分別借助于凸塊連接到所述第一襯底的所述第二互連或所述第二襯底的所述第三互連。

8.根據權利要求2所述的半導體器件，進一步包括：

第二襯底，所述第二襯底接合到所述第一襯底的與所述第一表面相反的所述第二表面一側上，

其中第二襯底包括：

第二通路，所述第二通路從在所述第一襯底一側上的第一表面穿透所述第二襯底，并且在一端處形成與在所述第一襯底一側上的所述第一表面相同的表面，和

第三互連，所述第三互連設置在與所述第一襯底相反的一側上，并且與所述第二通路的另一端連接，并且

其中所述第二互連借助于凸塊連接到所述第二通路的所述一端。