[發明專利]具有階梯式多重不連續場板的LDMOS器件及制造方法有效

申請號：	201210237362.3	申請日：	2012-07-10
公開（公告）號：	CN102790086A	公開（公告）日：	2012-11-21
發明（設計）人：	馬強	申請（專利權）人：	蘇州遠創達科技有限公司
主分類號：	H01L29/78	分類號：	H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336
代理公司：	蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103	代理人：	范晴
地址：	215123 江蘇省蘇州市工業***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有階梯多重連續 ldmos 器件制造方法
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【權利要求書】：

1.一種具有階梯式多重不連續場板的LDMOS器件，包括半導體本體，半導體本體包括最下層的半導體襯底區、設于半導體襯底區上的半導體外延層以及最上層的半導體介質層，半導體外延層與半導體介質層之間形成有溝道區、漏漂移區，其特征在于，半導體介質層內設有沿溝道區延伸的柵以及從柵朝向漏漂移區的水平方向上依次設置的至少兩個場板，與柵相鄰的第一場板在漏漂移區上具有水平延伸，其余與柵不相鄰的場板均為水平條狀，場板之間的水平距離大于零，與第一場板相鄰的第二場板與漏漂移區間的距離大于第一場板水平延伸部分與漏漂移區間的距離，其余水平條狀場板與漏漂移區間的距離逐次遞增。

2.根據權利要求1所述的具有階梯式多重不連續場板的LDMOS器件，其特征在于，在位于柵的上方于半導體本體表面沉積有氧化層，在場板上方于前一氧化層表面同樣沉積有氧化層，場板間的豎直間距等于氧化層的厚度，氧化層的厚度大于等于場板的厚度。

3.根據權利要求1所述的具有階梯式多重不連續場板的LDMOS器件，其特征在于，所述至少兩個場板均位于半導體本體的漏漂移區的上方。

4.根據權利要求1所述的具有階梯式多重不連續場板的LDMOS器件，其特征在于，與柵相鄰的第一場板在柵的至少一部分上延伸。

5.根據權利要求1所述的具有階梯式多重不連續場板的LDMOS器件，其特征在于，所述至少兩個場板均可接正負電壓或接地用于調節電場電荷。

6.根據權利要求1所述的具有階梯式多重不連續場板的LDMOS器件，其特征在于，至少兩個場板中的與柵不相鄰的場板的前端具有L形的突起，但場板間的水平距離仍大于零。

7.一種用于制作如權利要求1所述的具有階梯式多重不連續場板的LDMOS器件的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括如下步驟：

1）加工半導體本體，包括柵的形成；

2）在位于柵的上方于半導體本體表面沉積一個氧化層，再于氧化層上沉積一個導電層板，所述導電層板再經由光刻與腐蝕工藝形成第一場板；

3）緊接著再依次沉積一個氧化層和導電層板，所述導電層板經由光刻與腐蝕工藝形成第二場板，使該第二場板與第一場板在水平方向上具有一定間距；

4）根據需要制作的場板的個數重復步驟3）。

8.根據權利要求7所述的具有階梯式多重不連續場板的LDMOS器件的加工方法，其特征在于，場板間的豎直間距等于氧化層的厚度，氧化層的厚度大于等于場板的厚度。

9.根據權利要求7所述的具有階梯式多重不連續場板的LDMOS器件的加工方法，其特征在于，所述導電層板的導電介質為鈦或者鎢。