[發(fā)明專利]底部源極的功率器件及制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210234845.8
• 申請日: 2012-07-09
• 公開（公告）號: CN103545268A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設計）人: 薛彥迅;何約瑟;哈姆扎·耶爾馬茲;魯軍;石磊;趙良;黃平
• 申請（專利權）人: 萬國半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種底部源極的功率器件，其特征在于，包括：

一金屬基座單元，所述金屬基座單元包含彼此分隔開的第一基座和第二基座，及分別設置在第一基座兩側的第三、第四基座；

一倒裝設置在第一、第二基座上的初級封裝結構，設置在所述初級封裝結構正面的多個焊接凸塊分別焊接在第一、第二基座上；

一設置在所述初級封裝結構上方的橋形金屬片，所述橋形金屬片包含頂部金屬片及連接在頂部金屬片兩側并向下彎折的側部金屬片；

其中，位于頂部金屬片兩側的所述側部金屬片分別延伸至設置在第三基座頂部的凹槽內和設置在第四基座頂部的凹槽內，及位于所述初級封裝結構背面的底部金屬層通過導電材料焊接在所述頂部金屬片的底面上；

一將所述金屬基座單元、初級封裝結構、橋形金屬片予以包覆的塑封體，其中，第一、第三、第四基座各自的底面均從所述塑封體的底面予以外露。

2.如權利要求1所述的底部源極的功率器件，其特征在于，所述初級封裝結構包含有一芯片及覆蓋在芯片正面的頂部塑封層，多個焊接凸塊分別相對應的焊接于設置在所述芯片正面的多個金屬焊盤上；并且

所述頂部塑封層包覆在所述焊接凸塊側壁的周圍，從而任意一個所述的焊接凸塊均從所述頂部塑封層中予以外露；以及

所述底部金屬層設置在所述芯片的背面。

3.如權利要求2所述的底部源極的功率器件，其特征在于，所述第二基座位于所述第三基座和所述第四基座之間或位于第三基座的延長線和第四基座的延長線之間。

4.如權利要求1所述的底部源極的功率器件，其特征在于，所述第二基座包含一個厚度小于第一基座厚度的并被包覆在塑封體內的延伸結構，和一個與該延伸結構連接在一起的外部引腳，所述外部引腳位于第四基座沿縱向的延長線上；?

其中，所述延伸結構向初級封裝結構的下方橫向延伸直至與一部分設置在初級封裝結構正面的焊接凸塊在垂直方向上交疊。

5.如權利要求4所述的底部源極的功率器件，其特征在于，所述初級封裝結構包含有一個芯片，多個焊接凸塊分別相對應的焊接于設置在芯片正面的多個金屬焊盤上，多個金屬焊盤中至少包含構成芯片第一電極的金屬焊盤和構成芯片第二電極的金屬焊盤；

其中，連接于構成第一電極的金屬焊盤上的焊接凸塊焊接在第一基座的頂面上，連接于構成第二電極的金屬焊盤上的焊接凸塊與延伸結構在垂直方向上交疊并焊接在該延伸結構上。

6.如權利要求4所述的底部源極的功率器件，其特征在于，接觸第四基座的側部金屬片沿縱向的寬度，小于頂部金屬片沿縱向的寬度，以避免接觸第四基座的側部金屬片觸及到第二基座。

7.如權利要求1所述的底部源極的功率器件，其特征在于，在所述頂部金屬片中設置有從頂部金屬片的底面凹陷至頂部金屬片內的一個或多個槽體結構。

8.如權利要求1所述的底部源極的功率器件，其特征在于，在所述頂部金屬片的底面上設置有多個凸出于頂部金屬片底面的墊塊結構，所述墊塊結構位于所述底部金屬層與所述頂部金屬片的底面之間。

9.如權利要求1所述的底部源極的功率器件，其特征在于，在所述頂部金屬片兩側的與側部金屬片的拐角連接處，均形成有從頂部金屬片的頂面向下凹陷的長條狀凹槽。

10.如權利要求5所述的底部源極的功率器件，其特征在于，所述底部金屬層設置在芯片的背面并構成其第三電極，并且所述芯片為MOSFET，其第一電極為源極、第二電極為柵極、第三電極為漏極。