[發明專利]襯底的表面處理方法和帶有絕緣埋層襯底的制作方法在審
| 申請號: | 201210233289.2 | 申請日: | 2012-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN102768980A | 公開(公告)日: | 2012-11-07 |
| 發明(設計)人: | 魏星;曹共柏;張峰;張苗;王曦 | 申請(專利權)人: | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/762 | 分類號: | H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孫佳胤;翟羽 |
| 地址: | 201821 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 表面 處理 方法 帶有 絕緣 制作方法 | ||
1.一種襯底的表面處理方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供一襯底;
研磨減薄襯底的一表面;
采用能夠腐蝕襯底自然氧化層的腐蝕液腐蝕研磨后的表面;
采用化學機械拋光工藝拋光腐蝕后的表面。
2.根據權利要求1所述的襯底的表面處理方法,其特征在于,所述襯底是單晶硅襯底,所述能夠腐蝕襯底自然氧化層的腐蝕液進一步是含有氟化氫的腐蝕液。
3.根據權利要求2所述的襯底的表面處理方法,其特征在于,所述腐蝕液進一步是HF與HNO3的混酸溶液。
4.根據權利要求3所述的襯底的表面處理方法,其特征在于,所述混酸溶液進一步是硝酸、氫氟酸和醋酸混合溶液。
5.根據權利要求1所述的襯底的表面處理方法,其特征在于,腐蝕研磨后表面的步驟中,進一步是采用旋轉腐蝕工藝。
6.根據權利要求1所述的襯底的表面處理方法,其特征在于,在腐蝕研磨后表面的步驟實施完畢后,進一步對腐蝕后表面實施噴酸處理。
7.根據權利要求1所述的襯底的表面處理方法,其特征在于,所述襯底是單晶硅襯底,所述噴酸步驟中,所采用的酸液為氫氟酸溶液,溶液中氟化氫濃度大于5%。
8.一種帶有絕緣埋層襯底的制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供一支撐襯底;
采用權利要求1所述方法處理支撐襯底的一表面;
提供器件襯底;?在器件襯底和/或支撐襯底的表面形成絕緣層;
以絕緣層為中間層,將支撐襯底和器件襯底鍵合在一起;
研磨減薄器件襯底的裸露表面;
采用能夠腐蝕器件襯底自然氧化層的腐蝕液腐蝕研磨后的器件襯底表面;
采用化學機械拋光工藝拋光腐蝕后的器件襯底表面。
9.根據權利要求8所述的帶有絕緣埋層襯底的制作方法,其特征在于,所述化學機械拋光工藝進一步包括:
采用雙面拋光工藝拋光帶有絕緣埋層的襯底的兩個表面;
采用單面拋光工藝拋光器件層表面。
10.根據權利要求8所述的帶有絕緣埋層襯底的制作方法,其特征在于,所述化學機械拋光工藝進一步包括:
采用單面拋光工藝拋光腐蝕后的器件層表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





