[發明專利]芯片承載基板結構

有效

• 申請號: 201210233002.6
• 申請日: 2012-07-06
• 公開（公告）號: CN103531563A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 林定皓;呂育德;盧德豪
• 申請（專利權）人: 景碩科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 北京華夏博通專利事務所(普通合伙) 11264
• 代理人: 劉俊

1.一種芯片承載基板結構，其特征在于，包含：

一金屬基底層；

一阻隔層，形成在該金屬基底層上，至少覆蓋該金屬基底層上表面的一部分；

一凸塊結構，形成于該阻隔層上；

一絕緣材料層，填入該凸塊結構與該阻隔層之間的空隙；

一線路層，形成在該絕緣材料層及該凸塊結構上，且與該凸塊結構連接；以及

一防焊層，形成于該絕緣材料與該線路層之上，包覆部分的該線路層，

其中該阻隔層與該金屬基底層及該凸塊結構為不同的材料，該凸塊結構的一表面從該絕緣材料層露出，該表面與該絕緣材料層形成一共面平面，該線路層形成在部份的該共面平面之上。

2.如權利要求1所述的結構，其特征在于，該阻隔層完全覆蓋該金屬基底層的該上表面。

3.如權利要求1所述的結構，其特征在于，該阻隔層覆蓋該金屬基底層部分的上表面，且位于該凸塊結構的底部，使得該絕緣材料層進一步填入該凸塊結構與該阻隔層及該金屬基底層之間的空隙。

4.如權利要求1所述的結構，其特征在于，該金屬基底層、該凸塊結構、以及該線路層的材料為銅、鋁的至少其中之一，而該阻隔層的材料為錫、鎳、鈦、鈀的至少其中之一以及錫、鎳、鈦、鈀與該金屬基底層材料形成的介金屬化合物，且該阻隔層的厚度為3～10μm，該絕緣材料層為BT樹脂、玻璃纖維、ABF膠膜的其中之一。

5.一種芯片承載基板結構，其特征在于，包含：

一金屬基底層；

一阻隔層，形成在該金屬基底層上，至少覆蓋該金屬基底層上表面的一部分；

一凸塊結構，形成于該阻隔層上；

一絕緣材料層，填入該凸塊結構與該阻隔層之間的空隙；

至少一碳纖維預浸布；

至少一導電層，形成于該至少一碳纖維預浸布上，該各導電層與該碳纖維預浸布為一對一的配置，該至少一導電層與該凸塊結構的一表面從該絕緣材料層露出，使該至少一導電層、該凸塊結構的該表面與該絕緣層形成一共面表面；

一線路層，形成在部份的該共面平面上，且與該凸塊結構及該至少一導電層連接；以及

一防焊層，將未被該線路層覆蓋的該絕緣材料及該導電層包覆，同時包覆部分的該線路層，

其中該阻隔層與該金屬基底層及該凸塊結構為不同的材料。

6.如權利要求5所述的結構，其特征在于，該阻隔層完全覆蓋該金屬基底層的該上表面。

7.如權利要求5所述的結構，其特征在于，該阻隔層覆蓋該金屬基底層部分的上表面，且位于該凸塊結構的底部，使得該絕緣材料層進一步填入該凸塊結構與該阻隔層及該金屬基底層之間的空隙。

8.如權利要求5所述的結構，其特征在于，該金屬基底層、該凸塊結構、該至少一導電層以及該線路層的材料為銅、鋁的至少其中之一，而該阻隔層的材料為錫、鎳、鈦、鈀的至少其中之一與該金屬基底層材料形成的介金屬化合物，且該阻隔層的厚度為3～10μm，該絕緣材料層為BT樹脂、玻璃纖維、ABF膠膜的至少其中之一。