[發(fā)明專利]低溫離子鍍膜裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210232408.2
• 申請日: 2012-07-06
• 公開（公告）號: CN102703868A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陸世德
• 申請（專利權(quán)）人: 肇慶市同力真空科技有限公司;陸世德
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32
• 代理公司: 廣州市南鋒專利事務(wù)所有限公司 44228
• 代理人: 李永慶

1.一種低溫離子鍍膜裝置，包括真空室（1）、工件轉(zhuǎn)架(2)和蒸發(fā)源（3），工作轉(zhuǎn)架（2）和蒸發(fā)源（3）均設(shè)置在真空室（1）內(nèi)，其特征在于：在真空室（1）內(nèi)還設(shè)有離子裝置（4），該離子裝置（4）設(shè)置在工件轉(zhuǎn)架（2）的中部位置，蒸發(fā)源（3）設(shè)置在真空室（1）內(nèi)的周邊位置上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫離子鍍膜裝置，其特征在于：所述的離子裝置（4）包括支架(41)、支撐架(42)和離子板（43），離子板（43）安裝在支架（41）與支撐架（42）之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫離子鍍膜裝置，其特征在于：所述的蒸發(fā)源（3）為多弧靶。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫離子鍍膜裝置，其特征在于：所述的蒸發(fā)源（3）為磁控靶。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫離子鍍膜裝置，其特征在于：所述的蒸發(fā)源（3）為電子槍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫離子鍍膜裝置，其特征在于：所述的蒸發(fā)源（3）為蒸發(fā)電極。

7.一種低溫離子鍍膜裝置，包括真空室（1）、工件轉(zhuǎn)架(2)和蒸發(fā)源（3），工作轉(zhuǎn)架（2）和蒸發(fā)源（3）均設(shè)置在真空室（1）內(nèi)，其特征在于：在真空室（1）內(nèi)還設(shè)有離子裝置（4），該離子裝置（4）設(shè)在工件轉(zhuǎn)架（2）外部位置上，蒸發(fā)源（3）設(shè)置在真空室（1）的中部位置上。