[發明專利]用于IGBT的鍵合真空吸附工裝無效
| 申請號: | 201210231536.5 | 申請日: | 2012-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN102760666A | 公開(公告)日: | 2012-10-31 |
| 發明(設計)人: | 梁杰 | 申請(專利權)人: | 西安永電電氣有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 710016 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 igbt 真空 吸附 工裝 | ||
技術領域
本發明涉及IGBT制備技術,尤其涉及一種用于IGBT的鍵合真空吸附工裝。
背景技術
IGBT(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor),又叫絕緣柵雙極晶體管,其因具有高頻率,高電壓,大電流,容易開通和關斷的特性,是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品;IGBT的封裝工藝涉及多個關鍵技術,鋁線鍵合就是其中之一;現有的鍵合工裝普遍采用機械式夾緊固定,首先將工裝固定在設備上,然后將產品放到工裝上,定位,卡緊,進行鍵合;但是產品大多數為DBC(覆銅陶瓷基板),使用現有的機械式夾緊工裝在工作時易對產品造成物理性傷害,如DBC邊緣或者直角處等。
發明內容
本發明提供一種用于IGBT的鍵合真空吸附工裝,用于克服現有技術中的缺陷,減少對產品造成損害。
本發明提供的用于IGBT的鍵合真空吸附工裝具有基座、密封圈和至少三個定位銷;所述密封圈及所述定位銷底部均設在該基座上,所述基座上穿設有至少一個真空吸附孔,且所述真空吸附孔均位于該密封圈的內孔中,至少有三個所述定位銷的中心連線呈三角形。
進一步地,所述基座上設有凹槽,所述密封圈底部卡設于該凹槽內,且該密封圈上部伸出該基座的上表面。
其中,所述定位銷底部固定在該基座上。
特別是,所述基座包括通過緊固件連接的上基座和下基座,所述上基座與下基座之間設有密封墊;所述密封圈及定位銷均設在所述上基座上,所述真空吸附孔均貫穿該上基座和下基座。
本發明的用于IGBT的鍵合真空吸附工裝相對機械式工裝,不用進行旋轉緊固,直接將產品平放到工裝的密封圈上,通過定位銷調整好位置,將真空設備打開,即可以將產品吸附在基座的上表面上,使用方便并且不會對產品造成任何影響和破壞;同時,本發明的工裝沒有活動部件,使用期限更長,穩定性也高;減少了報廢率,提高了產品質量和可靠性。
附圖說明
圖1為本發明提供的實施例一的俯視圖;
圖2為圖1中沿A-A向剖視圖;
圖3為本發明提供的實施例二的主視圖
圖4為圖3中沿B-B向剖視圖。
具體實施方式
實施例一
如圖1、圖2所示,本發明提供的用于IGBT的鍵合真空吸附工裝具有基座1、密封圈2和多個定位銷3;密封圈2及定位銷2底部均設在該基座1上,基座1上穿設有至少一個真空吸附孔11,真空吸附孔11均位于該密封圈2的內孔21中,至少有三個定位銷3的中心連線呈三角形。本實施例中基座1上穿設有一個真空吸附孔11,具體數量可根據產品的外觀尺寸及連接該真空吸附孔的真空設備的參數而定。
具體可在基座1上設有凹槽12,密封圈2底部卡設于該凹槽12內,且該密封圈2上部伸出該基座1的上表面。凹槽12的深度比密封圈2的厚度小0.2mm-0.5mm,這樣保證吸附力的同時也可以保證產品的質量。
其中,定位銷3底部固定在該基座1上。定位銷3與基座1之間具體可采用焊接或螺紋連接。基座1上表面光滑,粗糙度小于3.2,無油漬。
使用時,可直接將待鍵合的產品10平放在密封圈2上,經定位銷3對產品10進行定位,由于真空吸附孔11通過管道連接真空設備,啟動真空設備可將產品10牢牢吸附在基座1上,相對現有的機械固定式工裝,沒有活動部件,不必進行頻繁的螺緊,工裝的使用期限更長,穩定性較高。真空吸附孔11可以根據實際情況進行數量的加減,開在密封圈2的內孔21中間,并與下部的真空回路保持連接。
實施例二
如圖3、圖4所示,在實施例一的基礎上,基座1包括通過緊固件連接的上基座13和下基座14,上基座13與下基座14之間設有密封墊4;密封圈2及定位銷3均設在上基座13上,真空吸附孔11均貫穿該上基座13和下基座14。
本實施例是將產品10通過真空吸附固定在工裝上,外觀尺寸是根據實際產品進行調整,將基座1分成上基座13和下基座14兩部分,僅僅更換上基座13即可實現對不同外觀尺寸的產品進行加工。
最后應說明的是:以上各實施例僅用以說明本發明的技術方案,而非對其限制;盡管參照前述各實施例對本發明進行了詳細的說明,本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改,或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的范圍。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安永電電氣有限責任公司,未經西安永電電氣有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210231536.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





