[發明專利]PIP、PPS電容器的制作方法

有效

• 申請號: 201210230745.8
• 申請日: 2012-07-04
• 公開（公告）號: CN102751176A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 胡勇;李冰寒;江紅;于濤
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種PIP、PPS電容器的制作方法。

背景技術

PIP(poly-insulator-poly，多晶硅-絕緣層-多晶硅)電容器是一種廣泛用于防止模擬電路發射噪音和頻率調制的器件。由于PIP電容器具有由多晶硅(與邏輯電路的柵極電極的材料相同)形成的下部電極和上部電極，因此PIP電容器的電極可以與柵電極一起形成，而無需單獨的形成工藝。

PPS(Polypropylene?film，聚丙烯薄膜)電容器也具有由多晶硅(與邏輯電路的柵極電極的材料相同)形成的下部電極和上部電極，PPS電容器的電極也可以與柵電極一起形成，而無需單獨的形成工藝。

由于PIP電容器和PPS電容器的電極均可以與柵電極一起形成，而無需單獨的形成工藝，在器件需要大電容的情況下，通常使用PIP電容器和PPS電容器。

在現有的電擦除可編輯的只讀存儲器(electrically?erasable?programmable?ROM，EEPROM)中，PIP電容、PPS電容和晶體管電容都以廣泛被作為電容器件使用，但是，一般情況下PIP電容會被單獨形成在場區，PPS電容單獨形成在有源區，而晶體管電容一般也單獨形成，由于單位面積電容較小，增大電容的唯一方法是分別增加PIP電容面積或增加PPS電容面積或增加晶體管電容面積，因此而帶來的是芯片面積隨之增大。

現有技術的PIP電容器的制作方法，包括以下步驟：

如圖1a所示，在襯底101中形成淺溝槽隔離結構102；

如圖1b所示，在淺溝槽隔離結構102上沉積第一多晶硅103；

如圖1c所示，刻蝕所述第一多晶硅103，以暴露出淺溝槽隔離結構102的邊緣；

如圖1d所示，在第一多晶硅103和淺溝槽隔離結構102上沉積第一介質層104；

如圖1e所示，在第一介質層104上沉積第二多晶硅105；

如圖1f所示，在第二多晶硅105上沉積第二介質層106，所述第二介質層106包括氮化硅層1061和氧化層1062，所述氮化硅層1061的厚度為100-700埃，所述氧化層1062的厚度為2500-3500埃；

如圖1g所示，涂覆光刻膠107，如圖1h所示，光刻形成第一窗口107a和第二窗口107b，如圖1i所示，刻蝕去除第一窗口107a內的第二介質層106、第二多晶硅105和第一介質層04，暴露出第一多晶硅103的頂部，形成第一接觸孔108，刻蝕去除第二窗口107b內的第二介質層106，暴露出第二多晶硅105的頂部，形成第二接觸孔109，如圖1j所示，用金屬填充所述第一接觸孔108和所述第二接觸孔109。

現有技術的PPS電容器的制作方法，包括以下步驟：

如圖2a所示，在襯底201中形成多個淺溝槽隔離結構202；

如圖2b所示，在所述淺溝槽隔離結構202之間的襯底上沉積第一介質層203；

如圖2c所示，在所述第一介質層203沉積第一多晶硅204；

如圖2d所示，在所述第一多晶硅204和第一多晶硅兩側的淺溝槽隔離結構202上沉積第二介質層205；

如圖2e所示，在所述第二介質層205上沉積第二多晶硅206；

如圖2f所示，在所述第二多晶硅上206沉積第三介質層207，所述第三介質層207包括氮化硅層2071和氧化層2072，所述氮化硅層2071的厚度為100-700埃，所述氧化層2072的厚度為2500-3500埃；

如圖2g所示，涂覆光刻膠208，如圖2h所示，光刻形成第一窗口208a和第二窗口208b，如圖2i所示，刻蝕第一窗口208a內的第三介質層207、第二多晶硅206和第二介質層205，暴露出第一多晶硅204的頂部，形成第一接觸孔209，刻蝕第二窗口208b內的第三介質層，暴露出第二多晶硅206的頂部，形成第二接觸孔210，去除光刻膠，如圖2j所示，用金屬填充所述第一接觸孔209和第二接觸孔210。

如何在不增加電容面積的情況下，提高PIP電容器和PPS電容器的單位面積電容是本領域技術人員急需解決的問題之一。

發明內容

本發明的目的是提供一種PIP、PPS電容器的制作方法，以提高PIP電容器和PPS電容器的單位面積電容。

本發明的技術解決方案是一種PIP電容器的制作方法，包括以下步驟：

在襯底中形成淺溝槽隔離結構；

在所述淺溝槽隔離結構上沉積第一多晶硅，刻蝕所述第一多晶硅以暴露出所述淺溝槽隔離結構的邊緣；