[發(fā)明專利]PIP、PPS電容器的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210230745.8
• 申請(qǐng)日: 2012-07-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102751176A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡勇;李冰寒;江紅;于濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種PIP電容器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在襯底中形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上沉積第一多晶硅，刻蝕所述第一多晶硅以暴露出所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的邊緣；

在所述第一多晶硅和所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上依次沉積第一介質(zhì)層、第二多晶硅和第二介質(zhì)層；

依次刻蝕所述第二介質(zhì)層、第二多晶硅和第一介質(zhì)層，形成暴露出所述第一多晶硅頂部的第一接觸孔，并刻蝕所述第二介質(zhì)層，形成暴露出所述第二多晶硅頂部的第二接觸孔；

在所述第一接觸孔內(nèi)、第二接觸孔內(nèi)和第二介質(zhì)層表面沉積金屬，形成互連線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PIP電容器的制作方法，其特征在于：所述第二介質(zhì)層包括氮化硅層和氧化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PIP電容器的制作方法，其特征在于：所述氮化硅層的厚度為100-700埃，所述氧化層的厚度為200-500埃。

4.一種PPS電容器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在襯底中形成多個(gè)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的襯底上沉積第一介質(zhì)層；

在第一介質(zhì)層上沉積第一多晶硅；

在所述第一多晶硅和淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上依次沉積第二介質(zhì)層、第二多晶硅和第三介質(zhì)層；

依次刻蝕所述第三介質(zhì)層、第二多晶硅和第二介質(zhì)層，形成暴露出所述第一多晶硅頂部的第一接觸孔，并刻蝕所述第三介質(zhì)層，形成暴露出所述第二多晶硅的第二接觸孔；

在所述第一接觸孔內(nèi)、第二接觸孔內(nèi)和第三介質(zhì)層表面沉積金屬，形成互連線。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的PPS電容器的制作方法，其特征在于：所述第三介質(zhì)層包括氮化硅層和氧化層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的PPS電容器的制作方法，其特征在于：所述氮化硅層的厚度為100-700埃，所述氧化層的厚度為200-500埃。