[發(fā)明專利]控制半導(dǎo)體晶圓制造工藝的系統(tǒng)和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210229433.5 | 申請日: | 2012-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN103311145B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳世宏;蕭穎;林進(jìn)祥 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 控制 半導(dǎo)體 制造 工藝 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種控制半導(dǎo)體晶圓制造工藝的方法,包括:
在晶圓加工模塊中的晶圓支撐組件上設(shè)置半導(dǎo)體晶圓;
從以相對于與所述晶圓支撐組件垂直的軸的預(yù)定發(fā)射角設(shè)置的信號發(fā)射器發(fā)射信號,以檢查所述模塊中的所述晶圓的平整度,以便從所述晶圓反射所述信號;
在信號接收器處以相對于與所述晶圓支撐組件垂直的軸的預(yù)定反射角監(jiān)控所反射的信號;以及
如果在所述信號接收器處沒有接收到所反射的信號,則生成報(bào)警指示。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:
沿著所述晶圓加工模塊的第一側(cè)設(shè)置所述信號發(fā)射器,以相對于與所述晶圓支撐組件垂直的軸的所述預(yù)定發(fā)射角發(fā)射所述信號;以及
沿著所述晶圓加工模塊的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)設(shè)置所述信號接收器,以相對于與所述晶圓支撐組件垂直的軸的所述預(yù)定反射角接收所反射的信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:
在沿著所述晶圓加工模塊的第一側(cè)的第一位置設(shè)置所述信號發(fā)射器,以相對于與所述晶圓支撐組件垂直的軸的所述預(yù)定發(fā)射角發(fā)射所述信號;以及
在沿著所述晶圓加工模塊的第一側(cè)的第二位置設(shè)置所述信號接收器,以相對于與所述晶圓支撐組件垂直的軸的所述預(yù)定反射角接收所反射的信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:
在所述信號接收器處接收所反射的信號;
測定所接收信號相對于所述晶圓的反射角;
將所測定的反射角與所述預(yù)定反射角進(jìn)行比較;以及
如果比較指示所述晶圓的平整度是基本上未對準(zhǔn)的,則生成報(bào)警指示。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,進(jìn)一步包括:
如果比較指示所測定的反射角和所述預(yù)定反射角之間的差值為至少0.2度時,則生成報(bào)警指示。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,進(jìn)一步包括:
如果比較指示所測定的反射角和所述預(yù)定反射角之間的差值為大于0.6度時,則生成報(bào)警指示。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:
在所述模塊中在所述晶圓支撐組件的第一表面上方設(shè)置所述晶圓;
使用頂銷組件將所述晶圓降低至所述第一表面;
其中,發(fā)射所述信號的步驟包括以相對于與所述晶圓支撐組件的第一表面垂直的軸的預(yù)定發(fā)射角從所述信號發(fā)射器發(fā)射,以便從降低的晶圓反射所述信號;以及
所述監(jiān)控步驟包括在信號接收器處以相對于與所述晶圓支撐組件的第一表面垂直的軸的預(yù)定反射角監(jiān)控所反射的信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:
在所述模塊中沿著靜電卡盤的第一表面設(shè)置所述晶圓;
將所述靜電卡盤的兩個或更多個電極通電,以將所述晶圓靜電吸持到所述第一表面;
其中,發(fā)射所述信號的步驟包括以相對于與所述靜電卡盤的第一表面垂直的軸的預(yù)定發(fā)射角從所述信號發(fā)射器發(fā)射。
9.一種控制半導(dǎo)體晶圓制造工藝的方法,包括:
在半導(dǎo)體晶圓加工模塊中的晶圓支撐組件上設(shè)置半導(dǎo)體晶圓;
從以相對于與所述晶圓支撐組件垂直的軸的預(yù)定發(fā)射角設(shè)置的信號發(fā)射器發(fā)射信號,以檢查所述模塊中的所述晶圓的平整度,以便從所述晶圓反射所述信號;
在信號接收器處以相對于與所述晶圓支撐組件垂直的軸的預(yù)定反射角監(jiān)控所反射的信號;
在所述信號接收器處接收所反射的信號;
使用所反射的信號測定晶圓傾斜角;以及
如果所測定的晶圓傾斜角指示所述晶圓的平整度是基本上未對準(zhǔn)的,則生成報(bào)警指示。
10.一種控制半導(dǎo)體晶圓制造工藝的系統(tǒng),包括:
半導(dǎo)體晶圓加工模塊;
晶圓支撐組件,用于在所述加工模塊中支撐所述半導(dǎo)體晶圓;
信號發(fā)射器,當(dāng)所述晶圓被所述晶圓支撐組件支撐時,所述信號發(fā)射器以相對于與所述晶圓支撐組件垂直的軸的預(yù)定發(fā)射角設(shè)置;
信號接收器,當(dāng)所述晶圓被所述晶圓支撐組件支撐時,所述信號接收器以相對于與所述晶圓支撐組件垂直的軸的預(yù)定反射角設(shè)置,所述信號接收器進(jìn)一步包括:
監(jiān)控設(shè)備,用于監(jiān)控來自所述晶圓的反射信號;
數(shù)據(jù)測定設(shè)備,用于測定所述反射信號相對于所述晶圓的反射角;和
數(shù)據(jù)比較器,用于測定所測定的反射角和所述預(yù)定反射角之間的差值;以及
生成器,如果所述比較器指示所述晶圓的平整度是基本上未對準(zhǔn)的,則生成報(bào)警指示。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





