[發(fā)明專利]陣列基板的斷線修補裝置及修補方法

無效

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• 申請日: 2012-07-03
• 公開（公告）號: CN102759829A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發(fā)明（設計）人: 鄭文達
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/13
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 歐陽啟明

【技術領域】

本發(fā)明涉及液晶顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板的斷線修補裝置及修補方法。

【背景技術】

隨著液晶顯示技術的不斷發(fā)展，對液晶生產(chǎn)效率提出了很高的要求。液晶顯示面板包括陣列基板及彩色濾光片基板，所述陣列基板上設置有大量的導線，如數(shù)據(jù)線和掃描線。

在制作陣列基板過程中，由于各種因素的影響，可能會有數(shù)據(jù)線或者掃描線存在斷線缺陷的情況，請參閱圖1A，圖1A中導線10存在斷線缺陷11，導致所述導線10不能導通，進而不能實現(xiàn)傳輸信號的功能。

現(xiàn)有技術中，為了修復所述導線10上存在的斷線缺陷11，通常是通過斷線修補機在導線10的斷線缺陷11處鍍膜，在斷線缺陷處形成補線12以導通所述導線10，如圖1B所示。

但是通過斷線修補機形成所述補線12后，由于所述補線12的表面的分子沒有順序排列，由所述分子構(gòu)成的晶格15（其中表示分子在晶體中排列規(guī)律的空間格架稱為晶格）排列順序也較為混亂，請參閱圖1C，無序排列的晶格15形成的界線13數(shù)量過多，請參閱圖1D；而且在鍍膜形成所述補線12后，所述補線12的表面存在裂縫14，使得所述補線12的表面高低不平，請參閱圖1E。上述兩種情況都會導致所所述補線12表面的阻抗增加，導致所述補線12的電阻增加，進而使得修補后的導線10的導電性能降低，影響所述導線10傳輸信號的能力。因此，采用現(xiàn)有的斷線修補機及其修補方法，僅能修補斷線長度在100微米以內(nèi)的導線，若導線的斷線長度超過100微米，則該陣列基板將視為不合格品而報廢，從而影響了陣列基板的制造良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明的一個目的在于提供一種陣列基板的斷線修補裝置，以解決現(xiàn)有技術中由于對導線的斷線缺陷處鍍膜形成補線后，補線表面的分子排列混亂，影響導線傳輸信號的能力，進而影響修補長度的技術問題。

為解決上述技術問題，本發(fā)明構(gòu)造了一種陣列基板的斷線修補裝置，包括：

修補單元；用于在陣列基板上導線的斷線缺陷處形成修補線；

加熱單元；用于對所述修補單元形成的修補線進行加熱。

在本發(fā)明一實施例中：所述修補單元具體包括：

清除模塊；用于清除所述斷線缺陷兩端的保護層以露出斷線缺陷的兩端；?

鍍線模塊；用于采用修補線材料在所述斷線缺陷處形成所述修補線，以導通所述導線。

在本發(fā)明一實施例中：所述修補線材料為六羥基鉻、六羥基鉬或者六羥基鎢。

在本發(fā)明一實施例中：所述加熱單元，還用于采用激光束加熱方式對所述修補單元形成的修補線進行加熱。

在本發(fā)明一實施例中：所述加熱單元，還用于在所述修補線表面產(chǎn)生一預設溫度，其中所述預設溫度大于所述修補線材料的熔點而小于所述修補線材料的沸點。

本發(fā)明的另一個目的在于提供一種陣列基板的斷線修補方法，以解決現(xiàn)有技術中由于對導線的斷線缺陷處鍍膜形成補線后，補線表面的分子排列混亂，影響導線傳輸信號的能力，進而影響修補長度的技術問題。

為解決上述技術問題，本發(fā)明構(gòu)造了一種陣列基板的斷線修補方法，所述方法包括以下步驟：

在陣列基板上導線的斷線缺陷處形成修補線；

對形成的修補線進行加熱。

在本發(fā)明一實施例中：在陣列基板上導線的斷線缺陷處形成修補線的步驟具體包括：

清除所述斷線缺陷兩端的保護層以露出所述斷線缺陷的兩端；

采用修補線材料在所述斷線缺陷處形成所述修補線，以導通所述導線。

在本發(fā)明一實施例中：所述修補線材料為六羥基鉻、六羥基鉬或者六羥基鎢。

在本發(fā)明一實施例中：對形成的修補線進行加熱的步驟具體包括：

采用激光束加熱方式對已形成的修補線進行加熱。

在本發(fā)明一實施例中：對形成的修補線進行加熱的步驟具體包括：

在所述修補線表面產(chǎn)生一預設溫度；其中所述預設溫度大于所述修補線材料的熔點而小于所述修補線材料的沸點。

相對于現(xiàn)有技術，本發(fā)明在導線的斷線缺陷處形成修補線以導通所述導線，并對所述修補線進行高溫加熱，使得所述修補線表面的分子按照預設規(guī)則重新排列，減少了所述修補線表面的晶界數(shù)量，使得所述修補線表面均勻，進而降低了所述修補線的電阻，提高了所述導線傳輸信號的能力，可以實現(xiàn)對長度較長的斷線缺陷的修補。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

【附圖說明】

圖1A和圖1E為現(xiàn)有技術中對導線的斷線缺陷修補的結(jié)構(gòu)示意圖；