[發明專利]淺溝槽隔離的形成方法及半導體結構

無效

• 申請號: 201210226403.9
• 申請日: 2012-07-02
• 公開（公告）號: CN103531520A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 宋化龍
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于，包括：

提供硅襯底；

刻蝕所述硅襯底，以形成溝槽；

形成襯墊氧化硅層，所述襯墊氧化硅層覆蓋所述溝槽的側壁；

在所述溝槽內形成硅層；及

在所述溝槽內形成淺溝槽隔離。

2.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于，形成襯墊氧化硅層的工藝包括如下步驟：

形成襯墊氧化硅材料層，所述襯墊氧化硅材料層覆蓋所述溝槽的側壁及底壁；

刻蝕所述襯墊氧化硅材料層，暴露出所述硅襯底，形成襯墊氧化硅層。

3.如權利要求2所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于，利用干法刻蝕工藝刻蝕所述襯墊氧化硅材料層。

4.如權利要求2所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于，利用熱氧化工藝形成襯墊氧化硅材料層。

5.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于，利用外延工藝在所述溝槽內形成硅層。

6.如權利要求1至5中的任一項所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于，所述硅層的厚度為所述溝槽的深度的1/10～1/3。

7.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于，在提供硅襯底的工藝步驟中，所述硅襯底上還形成有墊氧化硅層及位于墊氧化硅層上的氮化硅層。

8.如權利要求7所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于，在刻蝕所述硅襯底，以形成溝槽的工藝步驟中，同時刻蝕所述硅襯底上形成的墊氧化硅層及氮化硅層。

9.如權利要求8所述的淺溝槽隔離的形成方法，其特征在于，在所述溝槽內形成淺溝槽隔離的工藝包括如下步驟：

形成二氧化硅層，所述二氧化硅層覆蓋所述氮化硅層表面、且填充并溢出所述溝槽；

通過化學機械研磨工藝去除所述氮化硅層表面及溢出所述溝槽的二氧化硅層；及

去除所述墊氧化硅層及氮化硅層，形成淺溝槽隔離。

10.一種利用如權利要求1至9中的任一項淺溝槽隔離的形成方法所形成的半導體結構，其特征在于，包括：

硅襯底，所述硅襯底中形成有溝槽；

襯墊氧化硅層，所述襯墊氧化硅層覆蓋所述溝槽的側壁；

形成于所述溝槽內的硅層；及

形成于所述溝槽內的淺溝槽隔離。