[發明專利]一種利用非對稱分層勢壘提高SONNS結構器件可靠性的方法有效
| 申請號： | 201210225804.2 | 申請日： | 2012-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN102769019A | 公開（公告）日： | 2012-11-07 |
| 發明（設計）人： | 田志 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/115 | 分類號： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 利用 對稱 分層 提高 sonns 結構 器件 可靠性 方法 | ||
1.一種利用非對稱分層勢壘提高SONNS結構器件可靠性的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：提供一P型襯底；
S2：在所述襯底上制作一層隧穿氮化硅層和一層等電學厚度的隧穿氧化層；
S3：在所述隧穿氧化層的表面制作一層存儲氮化硅層；
S4：在所述存儲氮化硅層上制作一層阻擋氧化層；
S5：在所述阻擋氧化層上制作多晶硅。
2.根據權利要求1所述的非對稱分層勢壘提高SONNS結構器件可靠性的方法，其特征在于，在執行步驟S2中，在所述P型襯底上制作一層2~3nm的隧穿氮化硅層，在所述隧穿氮化硅層上制作一層1.2~1.5nm的二氧化硅層作為隧穿氧化層。
3.根據權利要求2所述的非對稱分層勢壘提高SONNS結構器件可靠性的方法，其特征在于，在所述隧穿氮化硅層上熱生長一層1.2~1.5nm的二氧化硅層作為隧穿氧化層。
4.根據權利要求1所述的非對稱分層勢壘提高SONNS結構器件可靠性的方法，其特征在于，采用低壓化學氣相沉積工藝在所述隧穿氧化層的表面制作一層存儲氮化硅層。
5.根據權利要求4所述的非對稱分層勢壘提高SONNS結構器件可靠性的方法，其特征在于，所述存儲氮化硅層的厚度為6~8nm。
6.根據權利要求1所述的非對稱分層勢壘提高SONNS結構器件可靠性的方法，其特征在于，在步驟S4中，所述阻擋氧化層為經過高溫致密化的阻擋氧化層。
7.根據權利要求6所述的非對稱分層勢壘提高SONNS結構器件可靠性的方法，其特征在于，所述阻擋氧化層的厚度為6~8nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
