[發明專利]一種淺溝槽隔離工藝研磨裝置及其使用方法

有效

• 申請號: 201210225801.9
• 申請日: 2012-07-03
• 公開（公告）號: CN102765043A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 張冬芳;白英英;張守龍;徐友峰;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: B24B37/00
• 分類號: B24B37/00;B24B37/005;B24B37/013;B24B37/34
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種淺溝槽隔離工藝研磨裝置，包括機臺，在所述機臺上安裝有一研磨系統，所述研磨系統與一控制系統連接，其特征在于，還包括一刻蝕系統，所述刻蝕系統安裝在所述機臺上，所述刻蝕系統與所述控制系統連接；還包括一量測系統，所述量測系統與控制系統相連接；還包括一參數轉換系統，所述參數轉換系統與所述量測系統相連接。

2.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離工藝研磨裝置，其特征在于，所述刻蝕系統為濕法工藝刻蝕設備。

3.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離工藝研磨裝置，其特征在于，所述量測系統為在線量測系統。

4.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離工藝研磨裝置，其特征在于，所述控制系統為整合先進制程控制系統。

5.一種實現刻蝕去除和臺階高度量測的方法，其特征在于，所述方法在權利要求1-4中所述的淺溝槽隔離工藝研磨裝置中進行，具體包括以下步驟：

提供一襯底，所述襯底由下至少覆蓋有緩沖層、掩膜層，在所述襯底的溝槽中和所述襯底的表面填充有氧化物薄膜，在所述量測系統中測量所述氧化物薄膜的厚度；

在所述研磨系統中，對所述襯底進行機械研磨工藝；?

測量研磨后的所述襯底上的氧化物薄膜的厚度；

對所述掩膜層進行刻蝕工藝，去除所述掩膜層；

對去除所述掩膜層的襯底進行臺階高度量測。

6.根據權利要求5所述的實現刻蝕去除工藝和臺階高度量測的方法，其特征在于，在所述刻蝕工藝步驟中，采用濕法刻蝕方法對所述掩膜層進行刻蝕。

7.根據權利要求5所述的實現刻蝕去除工藝和臺階高度量測的方法，其特征在于，所述掩膜層為氮化硅薄膜。

8.根據權利要求5所述的實現刻蝕去除工藝和臺階高度量測的方法，其特征在于，所述緩沖層為二氧化硅薄膜。

9.根據權利要求5所述的實現刻蝕去除工藝和臺階高度測量的方法，其特征在于，采用高縱寬比工藝在所述襯底的溝槽中和所述襯底的表面形成氧化物薄膜。