[發明專利]用于電子標簽中高頻接口的過流保護器

無效

• 申請號: 201210225630.X
• 申請日: 2012-07-03
• 公開（公告）號: CN103532120A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 曾維亮
• 申請（專利權）人: 成都市宏山科技有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;G06K19/077
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及電子標簽，具體是用于電子標簽中高頻接口的過流保護器。

背景技術

隨著電子技術的迅猛發展和制造水平的不斷提高，采用無線電實現的射頻識別技術發展迅猛，射頻識別電子標簽作為一種非接觸式IC卡，其將無線電技術和IC技術結合，通過射頻信號自動識別目標對象并獲取相關數據。射頻識別系統中電子標簽的高頻接口形成從閱讀器到電子標簽的高頻傳輸通路，高頻接口從其天線上吸收電流，并將吸收的電流整流后作為電子標簽內芯片的電源。現有電子標簽內芯片常常會因高頻接口整流輸出的電壓過高而損壞，這就造成大量資源浪費。?

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的不足，提供了能抑制輸入電子標簽內電壓過高的用于電子標簽中高頻接口的過流保護器。

本發明的目的主要通過以下技術方案實現：用于電子標簽中高頻接口的過流保護器，包括第一電阻、反相器、第一PMOS管及第二PMOS管，所述第一電阻兩端分別與第一PMOS管漏極和第二PMOS管源極連接，第一PMOS管的源極接地，所述第二PMOS管為二極管連接的MOS管，所述反相器的輸入端與第二PMOS管漏極連接，反相器的輸出端與第一PMOS管柵極連接，所述第一PMOS管漏極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸入線。本發明中二極管連接的MOS管是將MOS管的柵極和漏極連接在一起，由于MOS管在一定電壓下存在漏電流，所以本發明中二極管連接的MOS管用來模擬一個阻值很大的電阻，并且可以通過調整MOS管的參數來實現對阻值的控制。本發明中的直流電壓輸入線接收高頻接口整流后的電壓，輸入的電壓經過本發明處理后從第二PMOS管與第一電阻之間線路上外接的線路輸出。

用于電子標簽中高頻接口的過流保護器，還包括第一NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管，所述第一NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管三者的柵極均連接在第二PMOS管源極與第一電阻之間的線路上，所述第一NMOS管漏極與第二PMOS管漏極和反相器之間的線路連接，第二NMOS管的源極和漏極分別與第三NMOS管漏極和第一NMOS管源極連接，第三NMOS管源極接地。

所述第一電阻為壓敏電阻。本發明通過壓敏電阻的作用，能進一步對本發明進行過壓保護。

與現有技術相比，本發明具有以下有益效果：本發明包括第一電阻、反相器、第一PMOS管及第二PMOS管，其中，第一電阻兩端分別與第一PMOS管漏極和第二PMOS管源極連接，第一PMOS管的源極接地，第二PMOS管為二極管連接的MOS管，反相器的輸入端與第二PMOS管漏極連接，反相器的輸出端與第一PMOS管柵極連接，直流電壓輸入線連接在第一PMOS管漏極與第一電阻之間的線路上，本發明采用上述結構，整體結構簡單，便于實現，且本發明在工作時若電壓過高，可通過第一PMOS管進行泄壓，進而能避免高頻接口輸入電子標簽內芯片的電壓過高。

附圖說明

圖1為本發明實施例的結構示意圖。

附圖中附圖標記所對應的名稱為：R1—第一電阻，P1—第一PMOS管，P2—第二PMOS管，N1—第一NMOS管，N2—第二NMOS管，N3—第三NMOS管，N4—第四NMOS管，INV1—反相器，1—直流電壓輸入線。

具體實施方式

下面結合實施例及附圖對本發明作進一步的詳細說明，但本發明的實施方式不限于此。

實施例：

如圖1所示，用于電子標簽中高頻接口的過流保護器，包括第一電阻R1、反相器INV1及五個MOS管，其中，第一電阻R1為壓敏電阻，五個MOS管包括兩個PMOS管和三個NMOS管，其中，兩個PMOS管分別為第一PMOS管P1和第二PMOS管P2，三個NMOS管分別為第一NMOS管N1、第二NMOS管N2及第三NMOS管N3。第一電阻R1兩端分別與第一PMOS管P1漏極和第二PMOS管P2源極連接，第一PMOS管P1的源極接地，第二PMOS管P2為二極管連接的MOS管，具體為第二PMOS管P2的柵極與其漏極連接。反相器INV1的輸入端與第二PMOS管P2漏極連接，反相器INV1的輸出端與第一PMOS管P1柵極連接，第一PMOS管P1漏極與第一電阻R1之間的線路上連接有直流電壓輸入線1。

第一NMOS管N1、第二NMOS管N2及第三NMOS管N3三者的柵極均連接在第二PMOS管P2源極與第一電阻R1之間的線路上，第一NMOS管N1漏極與第二PMOS管P2漏極和反相器INV1之間的線路連接，第二NMOS管N2的源極和漏極分別與第三NMOS管N3漏極和第一NMOS管N1源極連接，第三NMOS管N3源極接地。

如上所述，則能很好的實現本發明。