[發明專利]用于電子標簽中高頻接口的過流保護器

無效

• 申請號: 201210225630.X
• 申請日: 2012-07-03
• 公開（公告）號: CN103532120A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 曾維亮
• 申請（專利權）人: 成都市宏山科技有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;G06K19/077
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.用于電子標簽中高頻接口的過流保護器，其特征在于：包括第一電阻（R1）、反相器（INV1）、第一PMOS管（P1）及第二PMOS管（P2），所述第一電阻（R1）兩端分別與第一PMOS管（P1）漏極和第二PMOS管（P2）源極連接，第一PMOS管（P1）的源極接地，所述第二PMOS管（P2）為二極管連接的MOS管，所述反相器（INV1）的輸入端與第二PMOS管（P2）漏極連接，反相器（INV1）的輸出端與第一PMOS管（P1）柵極連接，所述第一PMOS管（P1）漏極與第一電阻（R1）之間的線路上連接有直流電壓輸入線（1）。

2.根據權利要求1所述的用于電子標簽中高頻接口的過流保護器，其特征在于：還包括第一NMOS管（N1）、第二NMOS管（N2）及第三NMOS管（N3），所述第一NMOS管（N1）、第二NMOS管（N2）及第三NMOS管（N3）三者的柵極均連接在第二PMOS管（P2）源極與第一電阻（R1）之間的線路上，所述第一NMOS管（N1）漏極與第二PMOS管（P2）漏極和反相器（INV1）之間的線路連接，第二NMOS管（N2）的源極和漏極分別與第三NMOS管（N3）漏極和第一NMOS管（N1）源極連接，第三NMOS管（N3）源極接地。

3.根據權利要求1或2所述的用于電子標簽中高頻接口的過流保護器，其特征在于：所述第一電阻（R1）為壓敏電阻。