[發明專利]一種提高磁質譜豐度靈敏度的裝置及方法

有效

• 申請號: 201210224918.5
• 申請日: 2012-07-02
• 公開（公告）號: CN102751163A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 李志明;韋冠一;徐江;翟利華;沈小攀;周國慶;王長海;李梅
• 申請（專利權）人: 西北核技術研究所
• 主分類號: H01J49/42
• 分類號: H01J49/42;H01J49/26
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 王少文

1.一種提高磁質譜豐度靈敏度的裝置，其特征在于：包括依次設置的離子減速透鏡（2）、四極桿質量分析器（3）、離子加速透鏡（4）以及終端離子探測器（5）；所述四極桿質量分析器（3）的懸浮電壓比磁質譜儀的離子源的懸浮電壓低1V～100V；所述的離子減速透鏡設置在磁質譜儀尾端。

2.根據權利要求1所述的提高磁質譜豐度靈敏度的裝置，其特征在于：所述離子減速透鏡（2）包括z向聚焦電極（8）、弱聚焦電極（9）；所述z向聚焦電極為平板結構電極，其聚焦電極中心孔（81）為非軸對稱結構，形狀和大小與離子束截面匹配；所述的弱聚焦電極（9）為平板電極或桶狀結構電極，其弱聚焦電極中心孔（91）為圓孔，大小與四極桿入口截面匹配；所述離子加速透鏡（4）包括離子拉出電極（10）和聚焦電極（11），離子拉出電極（10）為平板電極或桶狀結構電極，其中心孔為圓孔，大小與四極桿出口截面匹配；聚焦電極（11）為直筒狀、入口小于出口的臺階筒狀或入口小于出口的空心圓錐狀結構。

3.根據權利要求1或2所述的提高磁質譜豐度靈敏度的裝置，其特征在于：還包括真空室，真空室內壓強小于1×10^-4Pa。

4.根據權利要求3所述的提高磁質譜豐度靈敏度的裝置，其特征在于：還包括在離子束傳播通路上設置的至少一）個靜電場能量過濾器（7），所述的靜電場能量過濾器設置在離子減速透鏡（2之前。

5.一種提高磁質譜豐度靈敏度的方法，其特征在于：包括以下步驟：

1）對質譜儀尾端輸出的離子束減速；

2）利用四極桿質量分析器進行質量分析；

3）離子束加速；

4）離子探測。

6.根據權利要求5所述的提高磁質譜豐度靈敏度的方法，其特征在于：還包括在離子束減速前對離子束進行靜電場能量過濾的步驟。

7.根據權利要求6所述的提高磁質譜豐度靈敏度的方法，其特征在于：還包括對未進入四極桿質量分析器的離子進行探測的步驟，該步驟采用至少一個中間離子探測器對靜電場能量過濾后的離子進行探測。