[發明專利]微粒物質傳感器單元的制造方法有效
| 申請號： | 201210224438.9 | 申請日： | 2012-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN103163048B | 公開（公告）日： | 2017-12-12 |
| 發明（設計）人： | 李津夏;趙志晧;全國鎮;姜誠贊;張根豪 | 申請（專利權）人： | 現代自動車株式會社;起亞自動車株式會社;首爾大學校產學協力團 |
| 主分類號： | G01N15/00 | 分類號： | G01N15/00;F01N11/00;F01N13/08 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產權代理有限公司11314 | 代理人： | 程偉,周蕾 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微粒 物質 傳感器 單元 | ||
1.一種微粒物質傳感器單元的制造方法，其包含：
清洗硅樹脂電極層；
在所述硅樹脂電極層的全部前表面部分上形成防蝕層；
從所述防蝕層中消除規定的圖案；
通過所述防蝕層的已消除的部分將所述硅樹脂電極層的前表面部分蝕刻至預定的深度；
通過消除所述防蝕層形成突出的電極；
在全部前表面部分和后表面部分上形成絕緣層以覆蓋所述突出的電極；
選擇性地消除在所述硅樹脂電極層的后表面部分上形成的所述絕緣層中形成傳感電極墊的部分；
在所述硅樹脂電極層的全部后表面部分上形成PR層，在所述PR層中消除了對應于加熱器電極的圖案化的部分；
在所述PR層和所述硅樹脂電極層上形成Pt層；和
通過消除所述PR層在所述硅樹脂電極層上形成由所述Pt層形成的所述傳感電極墊和所述加熱器電極；
其中所述絕緣層不在形成傳感電極墊的所述硅樹脂電極層的后表面部分上形成。
2.根據權利要求1所述的微粒物質傳感器單元的制造方法，其中所述防蝕層通過沉積TEOS組分或噴射Al形成。
3.根據權利要求1所述的微粒物質傳感器單元的制造方法，其中當從所述防蝕層中消除預定的圖案時，圖案化的掩模被用于選擇性地將所述防蝕層暴露于光線中，并且已暴露的部分采用蝕刻劑來消除。
4.根據權利要求1所述的微粒物質傳感器單元的制造方法，其中所述絕緣層的形成包括：在所述硅樹脂電極層的全部前表面部分和后表面部分上相繼形成氧化物層和氮化物層。
5.根據權利要求1所述的微粒物質傳感器單元的制造方法，其中所述PR層的圖案化的部分被消除的部分在形成PR層中具有負斜率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于現代自動車株式會社;起亞自動車株式會社;首爾大學校產學協力團，未經現代自動車株式會社;起亞自動車株式會社;首爾大學校產學協力團許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210224438.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
