[發(fā)明專利]一種封裝薄膜及制造該封裝薄膜的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210223170.7
• 申請(qǐng)日: 2012-06-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102751446A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 平山秀雄;邱勇;黃秀頎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52
• 代理公司: 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種封裝薄膜及制造該封裝薄膜的方法，屬于薄膜封裝領(lǐng)域。

背景技術(shù)

研究表明，空氣中的水汽和氧氣等成分對(duì)OLED(英文全稱為：OrganicLight-Emitting?Diode，中文譯為：有機(jī)發(fā)光二極管），OTFT（英文全稱為：Organic?thin-film?transistor，中文譯為：有機(jī)薄膜晶體管）,DSSC（英文全稱為：Dye-sensitized?solarcell，中文譯為：燃料敏化太陽(yáng)能電池）等對(duì)水氧敏感的光電子器件的壽命影響很大。其主要原因在于（以下用OLED來(lái)進(jìn)行說(shuō)明）：OLED器件在工作時(shí)需要從陰極注入電子，但是水汽容易與空穴傳輸層以及電子傳輸層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)而引起OLED器件的失效。因此，需要對(duì)OLED進(jìn)行有效封裝，以使器件的各功能層與大氣中的水汽和氧氣等隔開(kāi)，以此來(lái)提高OLED的使用壽命。

傳統(tǒng)的封裝方式是在剛性基板上制造電極和各有機(jī)功能層，然后加裝一蓋板，并將基板和蓋板用環(huán)氧樹(shù)脂粘接。這樣就在基板和蓋板之間形成了一個(gè)罩子，把器件和空氣隔開(kāi)，空氣中的水汽和氧氣等只能通過(guò)基板和蓋板之間的環(huán)氧樹(shù)脂向器件的內(nèi)部滲透，這種封裝方式一定程度上改善了OLED的使用壽命，但是，柔性O(shè)LED產(chǎn)品以及柔性太陽(yáng)能電池產(chǎn)品的出現(xiàn)，對(duì)上述傳統(tǒng)封裝方式提出了很大挑戰(zhàn)，柔性O(shè)LED產(chǎn)品以及柔性太陽(yáng)能電池產(chǎn)品要求封裝結(jié)構(gòu)對(duì)水汽的滲透率低于5×10^-6gm^-2/d，對(duì)氧氣的滲透率低于10^-5cm³m^-2/d，上述封裝方式難以滿足該要求，從而無(wú)法滿足柔性封裝的要求。

為了滿足柔性封裝的要求，近年來(lái)薄膜封裝成為了OLED產(chǎn)品以及太陽(yáng)能電池等光電子器件封裝的首要選擇，為了提高薄膜的水氧阻隔能力，多層薄膜封裝成為薄膜封裝的首要選擇，在多層薄膜封裝中，所述薄膜從內(nèi)到外依次包括氧化物層、有機(jī)物層、氧化物層等，所述氧化物層一般都是通過(guò)濺射沉積形成的氧化物層，在濺射過(guò)程中，濺射離子會(huì)損傷OLED器件的陰極，導(dǎo)致OLED器件的驅(qū)動(dòng)電壓變大，電流效率降低，從而降低了OLED器件的使用性能；同時(shí)，陰極損傷后，導(dǎo)致OLED器件的水氧阻隔能力變差。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種能夠防止在濺射過(guò)程中對(duì)光電子器件的陰極造成損傷的封裝薄膜。

為此，本發(fā)明提供一種封裝薄膜，包括至少兩個(gè)氧化物層和位于相鄰所述氧化物層之間的至少一有機(jī)物層，在最內(nèi)層的所述氧化物層和所述有機(jī)物層之間設(shè)置一緩沖層，所述緩沖層的厚度在50nm-1μm之間。

所述緩沖層的內(nèi)部具有若干個(gè)均勻和/或非均勻分布的鉍(Bi)原子團(tuán)簇，所述Bi原子團(tuán)簇至少在一個(gè)方向上的長(zhǎng)度為5-35nm，相鄰所述Bi原子團(tuán)簇的間隙小于50nm。

若干所述Bi原子團(tuán)簇均勻分布。

所述Bi原子團(tuán)簇為球形。

所述緩沖層的內(nèi)部具有若干個(gè)均勻和/或非均勻分布的孔洞，所述孔洞至少在一個(gè)方向上的長(zhǎng)度為5-35nm，相鄰所述孔洞之間的間隙小于50nm。

若干所述孔洞均勻分布。

所述孔洞為球形。

所述緩沖層由Si₃N₄、SiO₂或者TiO₂中的一種或多種復(fù)合形成。

所述緩沖層由Si₃N₄、SiO₂或者TiO₂中的一種或多種復(fù)合成網(wǎng)狀形成。

所述Bi原子團(tuán)簇4的總的原子體積比占所述緩沖層3的總體積的20-50%。

本發(fā)明提供的封裝薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn)：