[發明專利]一種封裝薄膜及制造該封裝薄膜的方法

有效

• 申請號: 201210223170.7
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN102751446A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 平山秀雄;邱勇;黃秀頎
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種封裝薄膜，包括至少兩個氧化物層（1）和位于相鄰所述氧化物層（1）之間的至少一有機物層（2），其特征在于：在最內層的所述氧化物層（1）和所述有機物層（2）之間設置一緩沖層（3），所述緩沖層（3）的厚度在50nm-1μm之間。

2.根據權利要求1所述的封裝薄膜，其特征在于：所述緩沖層（3）的內部分布有若干個均勻和/或非均勻分布的Bi原子團簇（4），所述Bi原子團簇（4）至少在一個方向上的長度為5-35nm，相鄰所述Bi原子團簇（4）的間隙小于50nm。

3.根據權利要求2所述的封裝薄膜，其特征在于：若干所述Bi原子團簇（4）均勻分布。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的封裝薄膜，其特征在于：所述Bi原子團簇（4）為球形。

5.根據權利要求1所述的封裝薄膜，其特征在于：所述緩沖層的內部分布有若干個均勻和/或非均勻分布的孔洞（5），所述孔洞（5）至少在一個方向上的長度為5-35nm，相鄰所述孔洞（5）之間的間隙小于50nm。

6.根據權利要求5所述的封裝薄膜，其特征在于：若干所述孔洞（5）均勻分布。

7.根據權利要求6所述的封裝薄膜，其特征在于：所述孔洞（5）為球形。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的封裝薄膜，其特征在于：所述緩沖層（3）由Si₃N₄、SiO₂或者TiO₂中的一種或多種復合形成。

9.根據權利要求8所述的封裝薄膜，其特征在于：所述緩沖層（3）由Si₃N₄、SiO₂或者TiO₂中的一種或多種復合為網狀形成。

10.根據權利要求2-9任一所述的封裝薄膜，其特征在于：所述Bi原子團簇4的總的原子體積比占所述緩沖層3的總體積的20-50%。