[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210223143.X
• 申請日: 2012-06-28
• 公開（公告）號: CN103515285B
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉志建;張家隆;陳哲明;李瑞珉;林育民
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，位于一基底的一凹槽中，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含有：

襯墊層，位于該凹槽的表面；

富硅層，位于該襯墊層上；以及

填充材料，位于該富硅層上并填滿該凹槽；

其中該富硅層包含含氧的富硅層；

且該含氧的富硅層的含氧量呈梯度分布；

其中該富硅層包含硅質(zhì)層、氮化硅層、氧化硅層、氮氧化硅層或氮化碳硅層；

其中該梯度分布是自該填充材料與該富硅層的接觸面向該富硅層與該襯墊層的接觸面遞減。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該襯墊層包含氧化層。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該填充材料包含氧化硅。

4.一種半導(dǎo)體制作工藝，包含有：

形成一凹槽于一基底中；

形成一襯墊層覆蓋該凹槽的表面；

形成一富硅層于該襯墊層上；

填入一硅氮化物于該凹槽中；以及

進(jìn)行一轉(zhuǎn)化制作工藝，將該硅氮化物轉(zhuǎn)化成一氧化硅，并至少氧化部分該富硅層而形成含氧的富硅層，該含氧的富硅層的含氧量呈梯度分布；

其中該富硅層包含硅質(zhì)層、氮化硅層、氧化硅層、氮氧化硅層或氮化碳硅層；

其中該梯度分布是自該氧化硅與該富硅層的接觸面向該富硅層與該襯墊層的接觸面遞減。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制作工藝，其中該襯墊層包含氧化層。

6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制作工藝，其中該富硅層包含以等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)制作工藝或原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)制作工藝形成。

7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制作工藝，其中該轉(zhuǎn)化制作工藝的制作工藝溫度為500℃～700℃。

8.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制作工藝，其中該轉(zhuǎn)化制作工藝包含一氧化制作工藝。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體制作工藝，其中該氧化制作工藝包含通入氧氣、臭氧或水蒸氣。

10.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制作工藝，在進(jìn)行該轉(zhuǎn)化制作工藝之后，還包含：

進(jìn)行一致密化制作工藝，以致密化該氧化硅以及該富硅層。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體制作工藝，其中該致密化制作工藝的制作工藝溫度高于1000℃。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體制作工藝，其中該致密化制作工藝的制作工藝溫度為1100℃。

13.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制作工藝，其中該硅氮化物包含三甲基硅烷胺(trisilylamine,TSA)。

14.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制作工藝，其中填入該硅氮化物以及進(jìn)行該轉(zhuǎn)化制作工藝的步驟為一流體化學(xué)氣相沉積(flowable chemical vapordeposition,FCVD)制作工藝或一旋轉(zhuǎn)涂布介電層(spin-on dielectric,SOD)制作工藝的步驟。