[發(fā)明專利]形成透明電極以及制造液晶顯示裝置的陣列基板的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210220323.2 | 申請日: | 2012-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN102902111A | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金容一;金正五;白正善;洪基相 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;鐘強(qiáng) |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 形成 透明 電極 以及 制造 液晶 顯示裝置 陣列 方法 | ||
本申請要求2011年7月27日提交的韓國專利申請No.10-2011-0074423的優(yōu)先權(quán),在此援引該專利申請作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)裝置,尤其涉及一種形成透明電極以及制造LCD裝置的陣列基板的方法,該方法能防止在構(gòu)圖工藝中由卡盤反射的光導(dǎo)致的問題。
背景技術(shù)
由于高對比度以及適于顯示運動圖像的特性,使用光學(xué)各向異性和偏振特性顯示圖像的LCD裝置廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、顯示器、TV等。
LCD裝置包括具有第一基板、第二基板和液晶層的液晶面板。第一和第二基板彼此相對,液晶層夾在它們之間。通過液晶面板中產(chǎn)生的電場改變液晶層中液晶分子的排列,從而控制光透射率。
在扭曲向列(TN)模式LCD裝置中,液晶分子由像素電極與公共電極之間的垂直電場驅(qū)動,具有出色的透射率和開口率特性。令人遺憾的是,因為LCD裝置使用垂直電場,所以該裝置具有較差的視角。
可使用共平面切換(IPS)模式LCD裝置解決上述缺陷。圖1是現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD裝置的液晶面板的示意性剖面圖。參照圖1,液晶面板包括彼此相對的第一和第二基板1和3以及兩基板之間的液晶層5。
在第一基板1上,形成有像素電極21和公共電極25。液晶層5的液晶分子由像素電極和公共電極21和25之間產(chǎn)生的水平電場L驅(qū)動。因為液晶分子由第一基板1上的像素電極和公共電極21和25之間的水平電場L驅(qū)動,所以IPS模式LCD裝置具有寬視角。
使用光刻工藝制造LCD裝置,所述光刻工藝包括:形成光敏材料層的步驟、曝光步驟、顯影步驟、以及蝕刻步驟。光刻工藝可稱作掩模工藝。在曝光步驟中,使用具有用于透光的部分和用于阻擋光的其它部分的曝光掩模和照射光的曝光裝置。
在光刻工藝中,在基板上形成目標(biāo)材料層,并在目標(biāo)材料層上形成光刻膠(PR)層作為光敏材料層。將其上形成有目標(biāo)材料層和PR層的基板轉(zhuǎn)移到曝光裝置。在曝光裝置中,在基板上方設(shè)置曝光掩模并將曝光掩模對準(zhǔn)。然后,PR層通過曝光掩模暴露至光。在該情形中,為了防止在曝光步驟過程中基板與掩模之間的未對準(zhǔn)問題,基板被定位在卡盤上并由卡盤固定。
另一方面,在透明導(dǎo)電材料的光刻工藝中導(dǎo)致一些問題。例如,當(dāng)通過光刻工藝構(gòu)圖透明導(dǎo)電材料時,臨界尺寸存在偏差。就是說,由光刻工藝獲得的像素電極或公共電極的寬度小于像素電極或公共電極的所需寬度,從而像素電極或公共電極的寬度不均勻。像素電極和公共電極之間的電場變得不同,從而產(chǎn)生看起來像是圖像上的污點的問題。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明涉及一種基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點而導(dǎo)致的一個或多個問題的形成透明電極和制造LCD裝置的陣列基板的方法。
本發(fā)明的一個目的是提供一種形成具有均勻尺寸的透明電極的方法。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種制造具有均勻尺寸和改善的開口率的陣列基板的方法。
在下面的描述中將列出本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點,這些特征和優(yōu)點的一部分從下面的描述將是顯而易見的,或者可通過本發(fā)明的實施領(lǐng)會到。通過說明書、權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其他優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的,如在此具體和概括描述的,一種形成透明電極的方法包括:在基底上形成第一透明導(dǎo)電材料層;對所述第一透明導(dǎo)電材料層進(jìn)行等離子體工藝,以使所述第一透明導(dǎo)電材料層的上部變?yōu)榘胪该鳎辉谒龅谝煌该鲗?dǎo)電材料層上形成第二透明導(dǎo)電材料層;將所述第二透明導(dǎo)電材料層和所述第一透明導(dǎo)電材料層構(gòu)圖;以及將被構(gòu)圖的所述第二透明導(dǎo)電材料層和被構(gòu)圖的所述第一透明導(dǎo)電材料層退火,以使所述第一透明導(dǎo)電材料層的上部變?yōu)橥该鳌?/p>
在另一個方面中,一種制造液晶顯示裝置的陣列基板的方法,包括:在基板上形成柵極線;在所述基板上形成數(shù)據(jù)線,所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉以限定像素區(qū)域;在所述像素區(qū)域中形成與所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管;在其上形成有所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線和所述薄膜晶體管的所述基板上形成第一透明導(dǎo)電材料層;用氫氣對所述第一透明導(dǎo)電材料層進(jìn)行等離子體工藝,以使所述第一透明導(dǎo)電材料層的上部變?yōu)榘胪该鳎辉谒龅谝煌该鲗?dǎo)電材料層上形成第二透明導(dǎo)電材料層;將所述第二透明導(dǎo)電材料層和所述第一透明導(dǎo)電材料層構(gòu)圖,以在所述像素區(qū)域中形成與所述薄膜晶體管連接的像素電極;以及將所述像素電極退火,以使所述上部變?yōu)橥该鳌?/p>
應(yīng)當(dāng)理解,前面的一般性描述和下面的詳細(xì)描述都是例示性的和解釋性的,意在對要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。
附圖說明
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G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
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