[發明專利]形成透明電極以及制造液晶顯示裝置的陣列基板的方法

有效

• 申請號: 201210220323.2
• 申請日: 2012-06-28
• 公開（公告）號: CN102902111A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 金容一;金正五;白正善;洪基相
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種形成透明電極的方法，包括：

在基底上形成第一透明導電材料層；

對所述第一透明導電材料層進行等離子體工藝，以使所述第一透明導電材料層的上部變為半透明；

在所述第一透明導電材料層上形成第二透明導電材料層；

將所述第二透明導電材料層和所述第一透明導電材料層構圖；以及

將被構圖的所述第二透明導電材料層和被構圖的所述第一透明導電材料層退火，以使所述第一透明導電材料層的上部變為透明。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一透明導電材料層包括銦和氧。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述第一透明導電材料層由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鎵鋅和氧化銦錫鋅之一形成。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述退火的步驟在200到300℃的溫度下進行30到300分鐘。

5.根據權利要求1所述的方法，其中進行所述等離子體工藝的步驟通過以80至100標準立方厘米/分鐘(sccm)的速率使氫氣流動40到100秒來進行。

6.根據權利要求1所述的方法，其中進行所述等離子體工藝的步驟在具有80到120mTorr真空度的腔室中進行。

7.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第二透明導電材料層和所述第一透明導電材料層構圖的步驟包括：

在所述第二透明導電材料層上形成光刻膠層；

使用曝光掩模曝光所述光刻膠層；

顯影所述曝光的光刻膠層，以形成光刻膠圖案；

使用所述光刻膠圖案作為蝕刻掩模，蝕刻所述第二透明導電材料層和所述第一透明導電材料層；以及

剝離所述光刻膠圖案，以形成公共電極和像素電極。

8.一種制造液晶顯示裝置的陣列基板的方法，包括：

在基板上形成柵極線；

在所述基板上形成數據線，所述數據線與所述柵極線交叉以限定像素區域；

在所述像素區域中形成與所述柵極線和所述數據線連接的薄膜晶體管；

在其上形成有所述柵極線、所述數據線和所述薄膜晶體管的所述基板上形成第一透明導電材料層；

用氫氣對所述第一透明導電材料層進行等離子體工藝，以使所述第一透明導電材料層的上部變為半透明；

在所述第一透明導電材料層上形成第二透明導電材料層；

將所述第二透明導電材料層和所述第一透明導電材料層構圖，以在所述像素區域中形成與所述薄膜晶體管連接的像素電極；以及

將所述像素電極退火，以使所述上部變為透明。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述第一透明導電材料層包括銦和氧。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述第一透明導電材料層由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)和氧化銦錫鋅(ITZO)之一形成。

11.根據權利要求8所述的方法，其中所述退火的步驟在200到300℃的溫度下進行30到300分鐘。

12.根據權利要求8所述的方法，其中進行所述等離子體工藝的步驟通過以80至100標準立方厘米/分鐘(sccm)的速率使氫氣流動40到100秒來進行。

13.根據權利要求8所述的方法，其中進行所述等離子體工藝的步驟在具有80到120mTorr真空度的腔室中進行。

14.根據權利要求8所述的方法，其中將所述第二透明導電材料層和所述第一透明導電材料層構圖的步驟包括：

在所述第二透明導電材料層上形成光刻膠層；

使用曝光掩模曝光所述光刻膠層；

顯影所述曝光的光刻膠層，以形成光刻膠圖案；

使用所述光刻膠圖案作為蝕刻掩模，蝕刻所述第二透明導電材料層和所述第一透明導電材料層；以及

剝離所述光刻膠圖案。

15.根據權利要求8所述的方法，其中形成所述柵極線的步驟還形成公共線，其中在將所述第二透明導電材料層和所述第一透明導電材料層構圖的步驟中還在所述像素區域中形成公共電極，其中所述公共電極與所述像素電極交替布置并與所述公共線連接。