[發明專利]一種低介電常數金屬間介質層刻蝕方法

有效

• 申請號: 201210219759.X
• 申請日: 2012-06-28
• 公開（公告）號: CN103515299A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 王新鵬;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種低介電常數金屬間介質層刻蝕方法，提供一晶片，所述晶片中具有第一金屬互連層，所述第一金屬互連層上方依次沉積刻蝕停止層和低介電常數金屬間介質層，所述低介電常數金屬間介質層上具有掩膜，該方法包括：

將所述晶片放置在干法刻蝕反應腔中，按照所述掩膜在所述低介電常數金屬間介質層中刻蝕形成溝槽和通孔，打開所述通孔下方的刻蝕停止層，露出所述第一金屬互連層；

將所述晶片取出所述干法刻蝕反應腔，在與空氣隔絕的低壓環境中將晶片傳遞至原子層修復的反應腔中，在所述溝槽和通孔側壁沉積低介電常數金屬間介質修復層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述原子層修復的方法是原子層水平的化學氣相沉積。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述低介電常數金屬間介質層是氧化硅層或者黑金剛石black?diamond。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述低介電常數金屬間介質修復層的厚度范圍是小于等于10埃。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述低介電常數金屬間介質層的介電常數范圍是大于1.5且小于2.5，所述低介電常數金屬間介質修復層的介電常數范圍是大于1.5且小于2.5。

6.一種低介電常數金屬間介質層刻蝕方法，提供一晶片，所述晶片中具有第一金屬互連層，所述第一金屬互連層上方依次沉積刻蝕停止層和低介電常數金屬間介質層，所述低介電常數金屬間介質層上具有掩膜，該方法包括：

將所述晶片放置在干法刻蝕反應腔中，按照所述掩膜在所述低介電常數金屬間介質層中刻蝕形成溝槽和通孔，停止在所述刻蝕停止層上；

將所述晶片取出所述干法刻蝕反應腔，在與空氣隔絕的低壓環境中將晶片傳遞至原子層修復的反應腔中，在所述溝槽和通孔的表面與側壁以及通孔底部露出的刻蝕停止層表面沉積低介電常數金屬間介質修復層；

將晶片從所述原子層水平的化學氣相沉積反應腔再次傳遞到所述干法刻蝕腔中進行方向性極強的各向異性干法刻蝕，依次刻蝕去除通孔底部的部分低介電常數金屬間介質修復層和刻蝕停止層。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述原子層修復的方法是原子層水平的化學氣相沉積。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述低介電常數金屬間介質層是氧化硅層或者黑金剛石black?diamond。

9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述低介電常數金屬間介質修復層的厚度范圍是小于等于10埃。

10.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述低介電常數金屬間介質層的介電常數范圍是大于1.5且小于2.5，所述低介電常數金屬間介質修復層的介電常數范圍是大于1.5且小于2.5。