[發(fā)明專(zhuān)利]槽式太陽(yáng)能集熱管用減反射膜無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210219513.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102723371A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葛波 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 蘇州嘉言能源設(shè)備有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/0216 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/0216 |
| 代理公司: | 蘇州華博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32232 | 代理人: | 傅靖 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽(yáng)能 管用 減反射膜 | ||
1.一種槽式太陽(yáng)能集熱管用減反射膜,其特征在于所述的減反射膜為SiN1-X,其中X=0.02-0.10。
2.權(quán)利要求1所述的減反射膜,其特征在于所述減反射薄膜的厚度為100-200?nm。
3.權(quán)利要求1所述的減反射膜,其特征在于所述透明薄膜采用磁控濺射方法制備,所述磁控濺射方法包括以下步驟:利用純硅片作為靶材,利用磁控濺射方法制備薄膜材料:以硅片或石英為襯底,通入純度為99.99%的N2,襯底溫度為300-500℃,工作氣壓為1~10?Pa,之后在還原氣氛下于400-500℃退火處理20-60?min。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





